محققان آمریکایی به بررسی ورقه‌های دو بعدی از بارهای تشکیل شده در دامنه‌های فروالکتریک پرداختند. آنها دریافتند که این ورقه‌ها با تشکیل حلقه‌های توپولوژیکی به‌صورت طبیعی بوجود آمده است. نتایج یافته‌های این گروه در حوزه فیزیک مواد متراکم از اهمیت بسیاری برخوردار است.
کشف مسیر هدایت الکتریکی جدید در دیواره‌های دامنه فروالکتریک
| محققان آمریکایی به بررسی ورقه‌های دو بعدی از بارهای تشکیل شده در دامنه‌های فروالکتریک پرداختند. آنها دریافتند که این ورقه‌ها با تشکیل حلقه‌های توپولوژیکی به‌صورت طبیعی بوجود آمده است. نتایج یافته‌های این گروه در حوزه فیزیک مواد متراکم از اهمیت بسیاری برخوردار است. پژوهشگران دانشگاه روتگر با همکاری محققانی از مرکز نانومواد، |
 |
| این پروژه موجب فراهم شدن بستری مناسب جهت مطالعه انتقال حاملین بار که در میان دو سطح محدود شده‌اند، فراهم می‌کند. این موضوع یکی از مباحث بسیار مهم در فیزیک مواد متراکم است. این تیم تحقیقاتی روی HoMnO3 متمرکز شده‌اند که یک ماده مولتی فریک است، در این ماده خاصیت آنتی فرومغناطیسی و فروالکتریسیته با هم وجود دارند همچنین نیروهای مکانیکی، الکتریکی و مغناطیسی می‌توانند با هم جفت شوند. به‌منظور اندازه‌گیری خواص مختلف این ماده در مقیاس نانو، پژوهشگران از میکروسکوپ نیروی اتمی رسانای درجا (cAFM)، میکروسکوپ نیروی پاسخ پیزو (PFM) و میکروسکوپ نیروی پیمایش کلوین (KPFM) در دمای پایین استفاده کردند. نتایج نشان داد که نقص‌های توپولوژیکی می‌تواند برای پایداری نتایج این تحقیق در قالب مقاله‌ای تحت عنوانConduction of |
