ثبت دستاورد پژوهشگر ایرانی در اداره‌ی ثبت اختراعات آمریکا

دکتر آرش دقیقی، پژوهشگر ایرانی موفق به ثبت اختراعی با عنوانDouble Insulating Silicon on Diamond Device «افزاره سیلیکون روی الماس با عایق دو لایه» به شماره ۲۰۱۰/۰۲۹۵۱۲۸ US در اداره‌ی ثبت اختراعات آمریکا USPTO شد. اختراع دوم ایشان با عنوان «روش بهبود خطی مدارات فرکانس رادیویی ماسفت سیلیکون روی عایق» نیز در اداره‌ی ثبت اختراعات آمریکا در مرحله انتشار(Publish) است.

دکتر آرش دقیقی، با مدرک دکترای مهندسی برق گرایش ادوات مایکروالکترونیک از دانشگاه ایالتی واشنگتن، در حال حاضر، عضو هیئت علمی دانشگاه شهرکرد است. وی در گفتگو با بخش اخبار سایت ستاد فناوری نانو گفت: «پیشبرد فناوری کوچک‌سازی افزاره و بهبود رفتار مدارات سیلیکون روی عایق، هدف اصلی من در انجام تحقیقاتی بوده که منتج به اختراع شده ‌است».

دکتر دقیقی با بیان این مطلب که افزایش جریان نشتی -که ناشی از کاهش طول کانال به اندازه چندین نانومتر است- از مهم‌ترین موانع کوچک‌سازی نانوافزاره‌ها است، گفت: «در این اختراع با استفاده از نانوساختاری جدید، جریان نشتی افزاره کاهش یافته و امکان اِسکِیلینگ برای نسل بعدی فراهم شده‌است. نتایج شبیه‌سازی کاهش ۴۰ تا ۲۰۰ درصدی جریان نشتی را برای افزاره‌ی ۲۲ نانومتری سیلیکون روی عایق نشان می‌دهد. همچنین با کوچک‌سازی افزاره تا محدوده نانومتری، مقاومت بدنه افزایش زیادی یافته است، بطوریکه تغییرات پاسخ فرکانسی ترانزیستور روی هدایت خروجی نانوترانزیستور باعث افزایش اثرات غیرخطی مدارات شده‌است».

وی ادامه داد: «با استفاده از فناوری نانو در این پتنت، می‌توان مقاومت بدنه را تنظیم نمود. همچنین نتایج شبیه‌سازی تقویت کننده نویز پایین ۴۵ نانومتر، مؤید بهبود رفتار خطی مدار است».

 وی درباره کاربرد اختراع خود این‌گونه توضیح داد: «لازم است در این مورد با ذکر مثالی توضیح مختصری در مورد روند پیشرفت فناوری ساخت ادوات نیمه‌هادی ارایه دهم. همگی ما با موضوع بروزرسانی کامپیوتر آشنایی داریم. اگر دقت کنیم، هزینه‌ای که برای بروزرسانی کامپیوتر شخصی خود انجام می‌دهیم در یک دوره ۳ ساله تقریباً یکسان است. در صورتیکه در این دوره کارآیی سیستم چندین برابر افزایش پیدا کرده‌است. حافظه دیسک سخت، حافظه موقت و حجم پردازش اطلاعات توسط واحد پردازنده مرکزی افزایش یافته‌است. دلیل آن، رشد صنعت نیمه‌هادی است. این رشد، در صنایع دیگر به ندرت دیده می‌شود. بطور مثال، در صنعت خودروسازی، انتظار آن نمی‌رود که سرعت خودرو در طی ۳ سال، ۲ برابر شود. دلیل اصلی رشد صنعت نیمه‌هادی، تعهد شرکت‌های فعال در این صنعت به مفهوم قانون مور است که بطور ساده بیان می‌نماید تعداد ترانزیستور در مدارات مجتمع حدوداً هر یک سال و نیم دو برابر می‌شود. گسترش مفهوم این قانون به تمامی زیر مجموعه‌های صنعت نیمه‌هادی منتج به رشد سریع آن شده است. به همین دلیل، کوچک‌سازی مستمر ترانزیستور انجام یافته است که تحت عنوان اِسکِیلینگ از آن ذکر می‌شود. از مهم‌ترین موانع کوچک‌سازی مستمر، افزایش جریان نشتی ترانزیستور و روند صعودی توان مصرفی مدارات است».

دکتر دقیقی افزود: «با توجه به پیشرفت فناوری کوچک‌سازی افزاره نیاز به کاهش جریان نشتی و بهبود مشخصات الکترواستاتیکی ترانزیستور احساس می‌شود. کاستن پیچیدگی طراحی و عدم افزایش توان مصرفی لوازم الکترونیک قابل حمل از جمله محاسن بهبود خطی مدارات است».

شایان ذکر است امکان استفاده از این دستاورد در صنعت نیمه‌هادی و طراحی مدارات الکترونیک مجتمع بطور گسترده وجود دارد.

محقق طرح درباره شرط لازم برای تحقق تجاری‌سازی اختراع خود در داخل کشور گفت: «ایجاد بسترهای لازم جهت طراحی، تولید و ساخت مدارات مجتمع شرط لازم برای تحقق تجاری‌سازی است. استفاده از این اختراع در ادوات الکترونیکی فرکانس رادیویی و کاربرد آن برای پیشبرد اهداف کوچک‌سازی ترانزیستور، باعث بهبود کارآیی آی‌سی‌ها می‌گردد. تبدیل شدن نتایج تحقیقات به محصول مشخص، آمادگی بستر فوق را می‌طلبد».

دکتر دقیقی این اختراع‌ها را حاصل تحقیقات شخصی و طرح‌های برون دانشگاهی عنوان کرد. وی حمایت و پرداخت لازم از سوی دانشگاه برای ثبت اختراع و ثبت امتیاز لازم جهت ارتقای مفهوم پتنت را از موانع و مشکلات پیش روی محققانی که قصد ثبت اختراع دارند، عنوان کرد، همچنین آمادگی خود را برای همکاری و ارایه دانش فنی خود به صنعت و سرمایه‌گذاران علاقمند اعلام کرد.

عضو هیئت علمی دانشگاه شهرکرد، حمایت ستاد ویژه توسعه فناوری نانو از ثبت پتنت را جسورانه دانست و گفت: «قطعاً عدم پرداخت حمایت‌های مالی و غیر مادی به این موضوع می‌تواند این امر را دچار مشکل جدی نماید. بنابراین، به عنوان استاد دانشگاه و پژوهشگر، لازم می‌دانم مراتب تشکر عمیق خود از مدیران و دست‌اندرکاران ستاد داشته باشم».

وی در پایان یادآور شد: «حمایت‌های ستاد ویژه توسعه فناوری نانو از اختراع ۸۰% مبلغ کل ثبت اختراع است. توقف پرداخت حمایت تشویقی برای پتنت و الزام مخترع به پرداخت ۲۰% حق ثبت اختراع، بطور حتم بر روند ثبت تاثیرگذار است. با توجه به اهمیت مفهوم پتنت و مقایسه آماری آن با دیگر مواردی که توسط ستاد نانو شامل پرداخت حمایت می‌گردد، به نظر می‌رسد که حمایت تشویقی مالی و امتیازی به مراتب بیشتر از یک مقاله ساده به پتنت باید تعلق گیرد. با یک نگاه آماری به موضوع، اهمیت آن آشکار می‌گردد. لازم است از دید گرایش تخصصی به موضوع توجه خاصی شود. بطور حتم تفاوت آماری زیاد مقالات با ضرایب تاثیر متفاوت و پتنت‌های ثبت شده در رشته‌های مختلف دانشگاهی می‌تواند الهام بخش راهکارهای جدیدی در میزان پرداخت حمایت تشویقی و نحوه امتیاز بندی باشد».