ساخت مدارات انعطاف‌پذیر با نانولوله کربنی

طی سال‌های اخیر محققان با استفاده از مواد نیمه‌هادی مختلف پیشرفت‌هایی را
در این حوزه داشته‌اند برای مثال آنها از نیمه‌هادی معدنی، نانولوله‌های
کربنی، نانوسیم‌های معدنی و اکسیدهای فلزی برای تولید قطعات الکترونیکی
انعطاف پذیر استفاده کردند. موادی که برای این کار به خدمت گرفته می‌شوند
باید دارای سرعت حرکت بار بالایی باشند. همچنین باید در دمای اتاق کار کرده،
ارزان بوده و به‌سادگی تولید شوند.

آنها با استفاده از روش ریخته‌گری در دمای اتاق نانولوله کربنی تولید کردند. محصول
به‌دست آمده بسیار یکنواخت بوده و دانسیته بالایی دارد. وانگ می‌گوید برخلاف مواد
نیمه‌هادی آلی این ترانزیستور‌ها به رطوبت و اکسیژن حساس نیستند که دلیل آن زیرلایه
انعطاف‌پذیر به‌کار رفته در آنها است. این ترانزیستورها کاملا انعطاف‌پذیر بوده و
قادرند به دفعات خم شوند بدون این که آسیب ببینند.

جریان عبوری از این ترانزیستورها ۱۵ µA/um ، هدایت ۴ µS/µm و سرعت انتقال ۵۰ cm²/V/s
است. علاوه‌براین این سیستم‌ها دارای طول کانال نسبتا بلندی (۴ میکرومتر) بوده
که می‌توانند فرکانس ۱۷۰ مگاهرتز را تقلیل دهند بنابراین به‌قدری کافی قدرتمند
هستند که بتوان از آنها در دستگاه‌های مخابراتی بی‌سیم استفاده کرد.

از این فناوری می‌توان در حوزه‌های مختلف از ادوات قابل پوشیدن گرفته تا روبات‌ها
استفاده کرد. محققان این پروژه معتقداند که از این فناوری به‌صورت ویژه می‌توان در
تولید مادربوردهای نمایشگرها و حسگرها استفاده کرد همچنین مدارات ساخته شده با این
فناوری را می توان به‌طور مستقیم با آرایه‌های حسگری چندکاربردی برای پردازش سیگنال
روی تراشه و انتقال اطلاعات بی سیم ترکیب کرد.

این تیم تحقیقاتی در حال استفاده از این فناوری در برخی از این حوزه‌ها است. نتایج
این کار نیز در نشریه Nano Letters به چاپ رسیده است.