تقویت نیمه‌هادی‌ها برای تولید ادوات الکترونیکی با دشواری‌هایی همراه است برای همین استفاده از نانوسیم‌ها پیشنهاد می‌شود. اما اتصال نانوسیم به یک قطعه الکترونیکی با نقص شوتکی همراه است. برای حل این مشکل محققان فرانسوی از یک لایه نازک سیلیکات استفاده کردند که مانع از تشکیل این نقص می‌شود.
ارائه روشی برای استفاده از نانوسیم‌ها تقویت نشده
| تقویت نیمه‌هادی‌ها برای تولید ادوات الکترونیکی با دشواری‌هایی همراه است برای همین استفاده از نانوسیم‌ها پیشنهاد می‌شود. اما اتصال نانوسیم به یک قطعه الکترونیکی با نقص شوتکی همراه است. برای حل این مشکل محققان فرانسوی از یک لایه نازک سیلیکات استفاده کردند که مانع از تشکیل این نقص می‌شود. یک تیم تحقیقاتی از دانشگاه جوزف فوریه در فرانسه روشی برای تولید دروازه
|
 |
| مدت‌هاست که پژوهشگران روی یافتن راه‌های جدیدی برای ایجاد نانوسیم‌های سیلیکونی کار می‌کنند دلیل این امر آن است که فتولیتوگرافی رایج روش دشواری برای تولید قطعات الکترونیکی است بنابراین استفاده از نانوسیم می‌تواند جایگزین مناسبی باشد. اما در مسیر استفاده از نانوسیم‌ها نیز مشکلی وجود دارد، زمانی که نانوسیم‌های کوچک قرار است به یک قطعه الکترونیکی متصل شود، یک برجستگی در محل اتصال بوجود می‌آید که به آن سد شوتکی گفته می‌شود در این نقطه الکترون‌ها پس از برخورد با سد به عقب بر می‌گردند. این کار موجب خلل در عبور جریان از میان نیمه‌هادی می‌شود. چنین پدیده‌ای شاید در حوزه‌های دیگر بتواند مفید باشد اما زمانی که قرار است ترانزیستور یا مدار منطقی بسازیم این پدیده مشکل ساز است. برای حل این مشکل محققان قصد داشتند که از روش‌های تقویت مختلف استفاده این گروه تحقیقات فرانسوی، به‌جای تقویت ماده، از پوشش دهی استفاده کردند این روش باید مورد بررسی بیشتر قرار گیرد با این حال نتایج اولیه آن بسیار
|
