محققان نروژی نخستین محققانی در دنیا هستند که در حال توسعه روشی برای تولید نیمه هادیها از گرافن هستند. این یافته میتواند انقلابی در صنعت نیمه هادی ایجاد کند. بنا به ادعای این محققان، در صورت ساخت نیمه هادیها از جنس گرافن بهجای سیلیکون، ابزارهایی ارزانتر و پربازدهتر از نیمه هادیهای فعلی خواهیم داشت.
مواد گرافنی جایگزین سیلیکون در صنعت نیمه هادی
گرافن متشکل از یک تک لایه از اتم های کربن بوده و یکی از نازکترین و در عین حال مستحکمترین مواد شناخته شده است که منعطف و شفاف نیز است. این ماده قابلیت هدایت الکتریسیته و گرما را با بازدهی بالا داشته و فرایند تولید آن ارزان است. |
جایگزینی گرافن به جای سیلیکون در صنعت نیمه هادی |
در این روش نانوسیمهای نیمههادی بر روی گرافن رشد داده میشوند. در این راستا سطح گرافن با اتم های گالیوم و ملکولهای ارسنیک بمباران شده و شبکه از نانوسیمهای ریز را ایجاد میکند. نتیجه این فرایند تولید یک ماده ترکیبی با ضخامت یک میکرومتر است که بهعنوان نیمههادی عمل میکند. این محصول در مقایسه با نیمههادیهای سیلیکونی که امروزه مورد استفاده قرار میگیرند، چند صد برابر نازکتر بوده و توانایی آن در هدایت الکتریسیته بهعنوان یک نیمههادی، تحت تاثیر دما، نور و افزودن اتم های دیگر به ساختار است. بنا به ادعای محققان از دانشگاه NTNU نروژ، در صورت ساخت نیمههادیها از مواد نیمههادی مبتنی بر پایه منعطف و شفاف افق روشنی را در صنعت نیمههادی محققان این طرح در حال عرضه این فناوری به شرکتهایی چون سامسونگ و IBM جزئیات این تحقیق با عنوان Vertically Aligned GaAs Nanowires on Graphite
|