اخیرا روشی جدید برای کنترل دقیق نشاندن ترکیبات کربن روی یک سطح ارائه شده است با استفاده از این روش می‌توان نانولوله‌های کربنی چند جداره را روی سطح فلزی مدارهای متجمع قرار داد بدون این که مقاومت بالای محل تماس در آن دیده شود در صورتی که با روش‌های رایج مقاومت بالایی در میان محل تماس سطح با نانولوله بوجود می‌آید.
ارتباط نانولوله کربنی چندجداره به یک سطح
به‌نظر می‌رسد روش نشست تحریک شده با پرتو الکترونی یا EBID اولین روشی است که با استفاده از آن می‌توان چندین نانولوله کربنی را به یک سطح فلزی که روی زیرلایه نیمه‌هادی قرار دارد، متصل کرد. با استفاده از این روش سه بعدی، محققان موسسه فناوری جرجیا موفق شدند در دو انتهای نانولوله کربنی اتصالات نانومقیاسی را ایجاد کنند که مقاومت آن ده برابر کمتر از اتصالات فلزی است.
با این روش می‌توان از نانولوله‌های کربنی به‌عنوان نسل جدید ارتباط دهنده‌های الکترونیکی استفاده کرد. نتایج این پروژه که توسط سازمان تحقیق نیمه‌هادی حمایت شده در شماره اکتبر ۲۰۱۲ نشریه IEEE Transactions on Nanotechnology به چاپ رسیده است.
آندرو فدرو استاد رشته مهندسی مکانیک می‌گوید ما برای اولین با موفق شدیم چندین نانولوله کربنی را روی بوردهای مدارچاپی قرار دهیم. این روش را می‌توان با فرآیندهای میکروساختاری رایج در بوردهای مدارچاپی ترکیب کرد. این که می‌توان چندین نانولوله را به یک سطح متصل کرد به ما این اجازه را می‌دهد که مقاومت سطح تماس را کاهش دهیم با این کار می‌توان عملکرد ادوات را بهبود داد.
برای ارائه یک روش جدید، محققان از مدل‌سازی استفاده کرده تا پارامترهای دخیل در فرآیند را بهینه کنند. برای این که بتوان این روش را در تولید انبوه به‌کار گرفت، آنها باید قادر به تراز کردن نانولوله‌های کربنی باشند به‌طوری که نانولوله‌ها بین دو سطح مورد نظر تراز شده باشند. پژوهشگران معتقدند که می‌توان با این روش چندلایه گرافن را به سطح چند فلز متصل کرد اما در حال حاضر روی نانولوله‌های کربنی متمرکز شده‌اند.
فرآیند EBID در دمای پایین، با استفاده از میکروسکوپ الکترونی روبشی انجام می‌شود. البته تغییراتی در این سیستم داده شده است به‌طوری که محفظه خلاء آن به‌نحوی تغییر کرده که می‌توان مواد اولیه مورد نیاز را به داخل سیستم تزریق کرد. تفنگ الکترونی، الکترون‌های ثانویه کم انرژی تولید کرده که می‌تواند با مواد اولیه، هیدروکربن، برخورد کرده موجب رسوب آنها شود.
