شرکت هیتاچی مدل جدیدی از میکروسکوپ SEM خود را به بازار عرضه کرده است. این دستگاه قادر است قدرت تفکیک ۰٫۸ نانومتر در ۱۵ Kv و ۱٫۱ نانومتر در ۱ Kv را داشته باشد.
SEM شرکت هیتاچی با قدرت تفکیک ۰٫۸ نانومتر
شرکت هیتاچی اخیرا نسخه جدیدی از میکروسکوپ الکترونی روبشی نشر میدان (FE-SEMs) را به بازار عرضه کرده است. این دستگاه مجهز به تفنگ نشر میدان سرد بوده که موجب بهبود عملکرد دستگاه می‌شود. این دستگاه سری SU8200 است و تفنگ الکترونی آن به شکلی طراحی شده که می‌تواند قدرت تفکیک بالا و شدت پرتو قوی را ایجاد کند. پایداری تفنگ الکترونی این دستگاه بسیار بالا است.
SEMها دارای کاربردهای متنوعی در حوزه‌های مختلف، نظیر فناوری نانو، نیمه‌هادی‌ها، مهندسی مواد، زیست‌فناوری و داروسازی هستند. روند توسعه مواد پیشرفته به سمتی است که استفاده از کربن و مواد پلیمری در آنها رو به افزایش است به طوری که استفاده از کربن و پلیمر در باتری‌های یون لیتیم، پیل‌های سوختی و کاتالیست‌ها روند افزایشی دارند.
مزیت کلیدی این میکروسکوپ سری SU8200 در منبع الکترونی سرد آن است. برای ساخت این تفنگ، شرکت هیتاچی از پتنتی با موضوع “پرتودهی نرم” استفاده کرده است. همچنین یک سیستم خلاء جدید در این دستگاه استفاده شده که می‌تواند نشست مولکول‌های گازی را در نوک تفنگ به حداقل برساند. این تفنگ همیشه در حالت “تمیز” کار می‌کند. وجود چنین سیستمی موجب شده تا نشر الکترون در این دستگاه فزونی یافته و پایداری پرتو الکترونی در آن بهبود یابد. در نتیجه نسبت سیگنال به نویز آن افزایش یافته و عملکرد میکروسکوپ بهبود قابل توجهی پیدا می‌کند.
SEM مدل SU8200 از شناساگرهای سیلیکونی موسوم به SDDs بهره‌مند بوده که استفاده از آنها موجب افزایش قدرت تفکیک، افزایش حساسیت و بهبود سرعت شناسایی اشعه ایکس می‌شود. همچنین یک نوع سیستم فیلتر کننده در این دستگاه قرار داده شده که با استفاده از آن می‌توان الکترون‌های ویژه‌ای را شناسایی کرد. فیلتر دیگری نیز برای بهبود کنتراست تصویر به آن افزوده شده که الکترون‌های بازگشتی با انرژی مشخصی را به دام می‌اندازد. فیلترهای مختلفی که روی این مدل نصب شده موجب شده تا در ولتاژهای پایین، کنتراست تصاویر گرفته شده، بهبود یابد. مخزن نمونه و سیستم نمونه‌گذاری این مدل به گونه‌ای طراحی شده که کنترل زیادی روی لرزش‌های ناخواسته فراهم کرده و با کمک سیستم نوری بهینه شده در این مدل، امکان رسیدن به قدرت تفکیک ۰٫۸ نانومتر در ۱۵ Kv و ۱٫۱ نانومتر در ۱ Kv را فراهم می‌کند.
