روشی ارزان برای تغییر باندگپ اکسید گرافن

پژوهشگران ژاپنی مرکز بین‌المللی نانومعماری مواد موفق به ارائه روشی برای تنظیم باندگپ اکسید گرافن شدند. این کار می‌تواند دامنه کاربرد این ماده را افزایش دهد.

اکسید گرافن ماده‌ای است که کاربردهای متعددی در صنعت الکترونیک دارد برای مثال می‌توان ادوات الکترونیکی انعطاف‌پذیر با کارایی بالا با اکسید گرافن تولید کرد. پژوهشگران مرکز بین‌المللی نانومعماری مواد اخیرا روش تازه‌ای برای تنظیم خواص فیزیکی اکسید گرافن ارائه کرده‌اند.
با تغییر سهم اربیتال‌های sp2 و sp3 در اکسید گرافن، ترابه و همکارانش موفق به کنترل باند گپ در این ماده شدند در نتیجه می‌توان هدایت الکتریکی اکسید گرافن را به دلخواه تغییر داد. در حال حاضر از روش‌های شیمیایی برای کنترل باندگپ گرافن استفاده می‌شود که روش‌هایی گرانقیمت بوده که برای تولید قطعات الکترونیکی مناسب نیستند.
اما این تیم تحقیقاتی بدون استفاده از مواد شیمیایی باند گپ اکسید گرافن را تغییر دادند، آنها اکسید گرافن موجود در ترانزیستور دولایه حالت جامد را با این روش به نحوه دلخواه تنظیم کردند. این ترانزیستور از اکسید گرافن روی سیلیکا تشکیل شده که در آن از زیرکونیم به‌عنوان دروازه استفاده شده‌است. این گروه تحقیقاتی از واکنش اکسیداسیون احیاء الکتروشیمیایی معکوس برای این کار استفاده کردند که برای این کار ولتاژ غیرمتناوب به محل تماس اکسید گرافن و زیرکونیم اعمال شد. با این کار پروتون از اکسید گرافن به زیرکونیم منتقل می‌شود و اکسید گرافن احیاء شده به‌دست می‌آید که نسبت به اکسید گرافن معمولی ۵ برابر هدایت الکتریکی بالاتری دارد. اکسید گرافن احیاء شده به مدت یک ماه می‌تواند بدون نیاز به اعمال ولتاژ، هدایت الکتریکی خود را حفظ کند. در مقایسه با ترانزیستورهای اثر میدان، ترانزیستوری که این گروه تحقیقاتی ساختند ولتاژ کمتری نیاز دارد که به معنای مقرون به صرفه‌تر بودن این ترانزیستور است. با این روش می‌توان هدایت الکتریکی و خواص نوری قطعات مختلف را تغییر داد.
نتایج این پژوهش در قالب مقاله‌ای با عنوان In-situ and Nonvolatile Bandgap Tuning of Multilayer Graphene Oxide in an All-Solid-State Electric Double Layer Transistor. در نشریه Advanced Materials به چاپ رسیده است.