آغاز تولید فاز دوم فناوری ۱۵ نانومتری توسط شرکت توشیبا

شرکت توشیبا با همکاری شرکت سان‌دیسک (SanDisk)، تولید فاز دوم فناوری پردازش حافظه فلش ۱۵ نانومتری NAND را آغاز کرده‌اند.

شرکت توشیبا با همکاری شرکت سان‌دیسک (SanDisk)، تولید فاز دوم فناوری پردازش حافظه فلش ۱۵ نانومتری NAND را آغاز کرده‌است. این دو شرکت به تازگی افتتاح فاز دوم تسهیلات تولیدی نیمه‌هادی ۵ (Fab5) و آغاز ساخت تسهیلات تولیدی جدید ۲ (Fab2) را در شرکت یوکاییچی (Yokkaichi) جشن گرفته‌اند.
شرکت توشیبا ساخت فاز دوم تسهیلات تولیدی نیمه‌هادی ۵ را در آگوست سال ۲۰۱۳ میلادی آغاز نموده و با همکاری شرکت سان‌دیسک بر فرایند نصب و راه‌اندازی تجهیزات تولیدی از جولای سال ۲۰۱۴ میلادی نظارت کرده‌اند. تولید فاز دوم این شرکت از ابتدای ماه سپتامبر آغاز شده است. این شرکت با تولید فناوری پردازش حافظه فلش ناند ۱۵ نانومتری (۱۵nm NAND)، کوچک‌ترین و پیشرفته‌ترین نود (nodes) جهان را تولید کرده است.
شرکت‌های توشیبا و سان‌دیسک از ماه آوریل سال جاری همکاری مشترکی را برای توسعه فناوری فلش ۱۵ نانومتری ناند آغاز و تولید اولیه خود را درتسهیلات تولیدی نیمه‌هادی ۵ شروع کرد‌ه‌اند.
شرکت توشیبا در حال ساخت تسهیلات تولیدی جدید ۲ است تا بتواند فضای مورد نیاز برای تبدیل ظرفیت کنونی ۲D NAND به ۳D NAND را که انتظار می‌رود در سال ۲۰۱۶ میلادی آماده تولید گردد، فراهم کند. این دو شرکت با همکاری یکدیگر تجهیزات تولید را نصب کرده و ظرفیت، اهداف تولید، زمان‌بندی و پایش روندهای بازار را تعیین خواهند کرد.
دو شرکت توشیبا و سان‌دیسک به رشد تقاضای بلندمدت برای حافظه فلش ناند، به ویژه برای تلفن‌های هوشمند، تبلت‌ها و SSDs توجه ویژه‌ای کرده و در این راستا نیز با توسعه و تولید فناوری‌های حافظه فلش پیشرفته به دنبال تقویت رقابت‌پذیری و پیشگامی خود در بازار هستند.