آنسیس (ANSYS) برای دو محصول جدید خود از سوی شرکت تی‌اس‌ام‌سی (TSMC) گواهینامه دریافت کرد. بر این اساس، این دو محصول پس از این می‌توانند در طراحی و تولید FinFET شانزده نانومتری مورد استفاده قرار گیرند.
تأیید دو محصول برای استفاده در فناوری FinFET شانزده نانومتری
دو محصول جدید شرکت آنسیس (ANSYS) موسوم به RedHawkTM و TotemTMموفق به دریافت گواهینامه از سوی شرکت تی‌اس‌ام‌سی (TSMC) برای استفاده در FinFET شانزده نانومتری شده است. FinFET شانزده نانومتری نسل جدید ترانزیستورها با عملکرد بالا است. تی‌اس‌ام‌سی این دو محصول را برای آنالیزهای افت ولتاژ دینامیک و الکترومایگریشین (حرکت اتم‌های موجود در یک سیم در اثر افزایش دانسیته جریان که موجب سوختن سیم‌ها در مدارات الکترونیکی می‌شود-مترجم) مورد بررسی قرار داده است. پایداری حرارتی ترانزیستورها با استفاده از این دو محصول قابل بررسی است. این دو شرکت برای به کارگیری RedHawkTM و TotemTM در فناوری N10 نیز همکاری‌هایی را آغاز کرده‌اند. مشتریان می‌توانند با استفاده از محصولات شرکت آنسیس اقدام به طراحی فناوری ۱۰ نانومتری TSMC کنند.
فناوری FinFET یک ترانزیستور با معماری سه بعدی است که می‌تواند با مصرف انرژی کمتر، کارایی بالاتری داشته باشد. این ترانزیستور در ساخت تراشه‌های موجود در تلفن‌های همراه و کامپیوترها استفاده می‌شود. طراحی و ساخت این ترانزیستورهای سه بعدی از همتایان مسطح (دو بعدی) خود پیچیده‌تر است. این دو محصول جدید شرکت آنسیس حافظه لازم و زمان مورد نیاز برای طراحی این ترانزیستورها را کاهش می‌دهد.
سوک لی از مدیران شرکت تی‌اس‌ام‌سی می‌گوید: «اعطاء گواهینامه به این دو محصول، موجب می‌شود تا طراحان تراشه بتوانند با دقت بالاتر نسل جدید تراشه‌ها را طراحی کنند.»
معماری FinFET به دلیل هدایت گرمایی کمتر، گرمای بالاتری تولید می‌کند که این افزایش دما احتمال بروز پدیده الکترومایگریشن را در سیم‌های نازک افزایش داده و عمر قطعات الکترونیکی را کاهش می‌دهد. RedHawkTM براساس مدل گرمای تولید شده توسط FinFET با قدرت تفکیک میکرومتری عمل می‌کند.
