چند شرکت و موسسه تحقیقاتی مختلف فعال در حوزه نانوالکترونیک در اروپا، در قالب یک پروژه مشترک اقدام به توسعه فناوری جدیدی در بخش فتونیک سیلیکونی کرده‌اند.
همکاری مراکز مختلف اروپا برای توسعه فتونیک سیلیکونی
سازمان تحقیقاتی CEA-Leti در فرانسه در قالب پروژه PLAT4M اروپا موفق به توسعه پلتفورم فوتونیک سیلیکونی جدیدی شده‌است. این پروژه چهار ساله که از سال ۲۰۱۳ راه‌اندازی شده با هدف ایجاد زنجیره در فتونیک سیلیکون، قصد دارد صنعتی شدن این فناوری را تسریع کند.
بودجه ۱۰٫۲ میلیون یورویی این پروژه توسط کمیسیون اروپا تأمین و توسط ۱۵ مؤسسه و شرکت مختلف تأمین می‌شود. این زنجیره براساس پلتفورم‌های فناوری Leti، IMEC و STMicroelectronics تعریف شده‌است.
مؤسسه بلژیکی Imec با استفاده از این پروژه موفق شده‌است پلتفورم فتونیک سیلیکونی خود را توسعه داده و به بلوغ برساند. این پلتفورم براساس زیرلایه SOI با سیلیکون ۲۲۰ نانومتری طراحی شده‌است. در طول این پروژه، فرآیندهای تولید رایج به‌گونه‌ای بهبود می‌یابند که عملکرد تمام بخش‌های واحدهای سازنده فتونیک (جفت کننده‌ها، راهنماهای موج، انتقال‌دهنده‌های فاز و شناساگرهای نوری) ارتقاء یابد. در این پروژه شرکت‌هایی نظیر تالز، پلی‌تک و تی‌ان‌او همکاری دارند.
مؤسسه Imec علاوه براستفاده از این پروژه برای توسعه فتونیک سیلیکونی، از اسکنرهای لیتوگرافی غوطه‌وری ۱۹۳ نانومتری نیز برای این کار استفاده می‌کند. با استفاده از پلتفورم Imec، شرکت تالز موفق به ترکیب پرتوهای مختلف لیزر با یکدیگر شده‌است. با این فناوری می‌توان منابع لیزر با انرژی و توان بالا تولید کرد و از آن در صنایع مختلف نظیر فیزیک بنیادی یا حسگری استفاده کرد. چنین دستاوردی می‌تواند مرزهای نشرکننده لیزر را تغییر داده و با استفاده از تقویت‌کننده‌های مختلف، کارایی و خروجی این لیزرها را افزایش داد.
مرکز Leti، پیش از این به تنهایی موفق به توسعه پلتفورم فتونیک جدیدی مبتنی بر ویفر SOI 200 میلیمتری شده بود. با روشی که این مرکز ارائه داده می‌توان الگودهی‌های مختلفی روی سطح ایجاد کرد و در نتیجه قطعات مختلفی نظیر فتودیود با قابلیت تنظیم گرمایی روی سطح ایجاد کرد. این فناوری جدید به محققان این مرکز امکان ایجاد ساختارهای کوچکتری را روی سطح می‌دهد.
