شرکت اکسفورد اینسترومنتز (Oxford Instruments) وارد همکاری مشترک با آزمایشگاه میدان بالا (HLD) شده‌است تا ماده ابررسانای میدان بالا تولید کند. این ماده برای ساخت تجهیزات مورد نیاز برای تحقیقات فناوری نانو ضروری است.
همکاری مشترک برای تولید ماده ابررسانای میدان بالا
اکسفورد اینسترومنتز (Oxford Instruments) یکی از شرکت‌های پیشرو در حوزه ساخت تجهیزات صنعتی و تحقیقاتی است. این شرکت اخیراً وارد همکاری مشترک با آزمایشگاه میدان بالا (HLD) در مرکز تحقیقات هلموتز درسدن شده‌است. قرار است در قالب این همکاری مشترک روی ساخت ابررسانای دما بالا کار شود که در حوزه فناوری نانو کاربرد زیادی دارد. این کویل‌های ابررسانا را می‌توان برای تولید میدان مغناطیسی بالای ۲۵ تسلا مورد استفاده قرار داد.
در این پروژه دو مرکز قدرتمند در حوزه مغناطیس با هم وارد همکاری مشترک شده‌اند. HLD یکی از اعضاء آزمایشگاه میدان مغناطیسی اروپا (EMFL) است که تجهیزات تراز اول جهان در این حوزه در اختیار این مرکز است. شرکت آکسفورد نیز در طراحی و ساخت مواد ابررسانا شهرت زیادی دارد.
در این همکاری مشترک، محققان قصد دارند تا کویل‌های ابررسانایی را طراحی کرده و بسازند. این کویل‌ها بعد از تولید قرار است روی تجهیزات شرکت آکسفورد نصب و آزمایش شوند. این کویل با یک مغناطیس ۱۵۰ mm ترکیب شده تا میدان ۱۹ تسلا را در دمای ۲/۴ کلوین ایجاد کند. HTS ساخته شده قادر به تولید میدان مغناطیسی ۲۵ تسلا است که می‌تواند کاربردهای متعددی داشته باشد.
این همکاری مشترک آکسفورد با HLD به این شرکت اجازه می‌دهد تا بتواند فناوری HTS مورد نیاز برای ساخت نسل جدید تجهیزات خود را به دست آورد، تجهیزاتی نظیر پیمایشگرهای مواد که نیاز به نسل جدیدی از مواد ابررسانا دارد.
مغناطیس‌های ابررسانای میدان بالا گامی مؤثر در مسیر توسعه ساخت تجهیزات مغناطیسی برای استفاده در حوزه فناوری نانو است. استفاده از این فناوری می‌تواند نیاز برای تجهیزات پیچیده و گرانقیت را کاهش دهد.
یوآخیم ووسنتز از مدیران HLD می‌گوید: «این پروژه منجر به ساخت نسل جدیدی از تجهیزات تراز اول جهان خواهد شد که با استفاده از میدان مغناطیسی ۲۵ تسلا امکان تحقیقات روی مواد پیچیده فراهم می‌شود.»
زیاد ملهم از مدیران شرکت آکسفورد می‌گوید: «ما از این همکاری بین‌المللی بسیار خشنود هستیم. این پروژه می‌تواند برای تأمین نیازهای بخش تحقیقات فناوری نانو مناسب باشد.»
