یک شرکت تولیدکننده حافظه، موفق به تجاری‌سازی نانوحافظه‌ای شده که در آن از نانولوله کربنی استفاده شده است. این حافظه عملکردی ۱۰۰۰ برابر بهتر از DRAM دارد.
تجاری‌سازی حافظه‌ای که حاوی نانولوله کربنی است
شرکت فوجیتسو سمیکانداکتور (Fujistu Semiconductor) اعلام کرد که موفق به ساخت حافظه RAM جدیدی شده که عملکرد آن ۱۰۰۰ برابر بیشتر از DRAM است، اما اطلاعات را همانند NAND ذخیره می‌کند.
این حافظه غیرفرار که به Nano-RAM شهرت یافته با استفاده از نانولوله کربنی تولید شده است. شرکت فوجیتسو قصد دارد تا این ماژول را توسعه داده و با استفاده از DDR4 تا سال ۲۰۱۸ نسل جدیدی از حافظه‌ها را به بازار عرضه کند.
فوجیتسو قصد دارد تولید اولیه NRAM را با استفاده از فرآیند ۵۵ نانومتری انجام دهد. اطلاعات در این فناوری روی واحدهای نانومتری ذخیره‌سازی می‌شود. در این حافظه، اطلاعاتی در حد مگابایت را می‌توان ذخیره کرد. این شرکت در حال حاضر به دنبال نسل جدیدی از حافظه ۴۰ نانومتری NRAM است.
در ابتدا، NRAMها برای استفاده در دیتاسنترها و سرورها ساخته شده بودند، اما با گذشت زمان، مسیر خود را برای وارد شدن به بازار مصرف‌کننده باز کردند. از آنجایی که این حافظه‌ها مصرف انرژی در حد فمتوژول داشته و به هیچ اطلاعاتی برای کار کردن نیاز ندارد، وضعیتی نظیر حافظه‌های فلش دارند. NRAM می‌تواند عمر باتری‌ها را افزایش دهد.
شرکت فوجیتسو هیچ اطلاعاتی درباره این که NRAMها به صورت ماژول DIMM ساخته می‌شوند یا خیر ارائه نکرده است، اما آنچه که تاکنون مطرح شده این است که قرار بوده این حافظه‌ها با فناوری DDR4 قابل انطباق باشد.
شرمرژل از مدیران این شرکت می‌گوید: «در حال حاضر کارخانه‌های مختلفی روی ساخت این فناوری کار می‌کنند. برای مثال، یکی از تولیدکنندگان روی فرآیند ۲۸ نانومتری متمرکز بوده و به دنبال ساخت حافظه‌ای با ظرفیت چندین گیگابایت است.»
در حال حاضر فناوری NRAM به صورت محصولی صاف تولید می‌شود؛ به این معنا که سلول‌های حافظه آن به صورت افقی قرار گرفته و دو بعدی است. اما آنچه که این شرکت ارائه می‌دهد، معماری سه بعدی و پیچیده است که می‌تواند دانسیته حافظه را افزایش دهد.
