بررسی‌های BCC Research نشان می‌دهد که حافظه‌های NRAM که در آن‌ها از نانولوله‌های کربنی استفاده شده از سال ۲۰۱۸ وارد بازار شده ، با رشد سالانه ۱۱۵ درصدی، تحولی در بازار حافظه‌ها ایجاد خواهد کرد. این حافظه‌ها به سرعت وارد تمام ادوات الکترونیکی از تلفن همراه گرفته تا حسگرهای اینترنت اشیاء خواهند شد.
سال ۲۰۱۸ «حافظه فلش» در برابر «نانوحافظه NRAM» زانو خواهد زد
بررسی‌های اخیراً مؤسسه بی‌سی‌سی ریسرچ (BCC Research) حاکی از آن است که فناوری حافظه‌های غیرفرار مبتنی بر فناوری نانولوله‌های کربنی که پیش بینی می‌شود سال ۲۰۱۸ تجاری‌سازی شوند، تأثیر بالایی روی صنعت الکترونیک خواهد داشت، به طوری که تحول بیشتری نسبت به حافظه‌های فلش در این صنعت ایجاد می‌کند.
این مؤسسه معتقد است که این فناوری به سرعت در حال رسیدن به بازار است، به طوری که شما در تلفن‌های همراه بعدی خود شاهد این فناوری خواهید بود.
بی‌سی‌سی پیش‌بینی می‌کند که نرخ رشد ترکیبی (CAGR) بازار حافظه‌های NanoRAM به صورت سالانه ۶۲٫۵ بین سال‌های ۲۰۱۸ تا ۲۰۲۳ خواهد بود. همچنین بازار سامانه‌هایی که این فناوری در آن به کار رفته از ۴٫۷ میلیون دلار در سال ۲۰۱۸ به رقم ۲۱۷ میلیون دلار در سال ۲۰۲۳ خواهد رسید. این رقم به این معناست که این حوزه نرخ رشد سالانه‌ای در حدود ۱۱۵٫۳ درصد را در طول ۵ سال تجربه می کند.
این حافظه‌ها در سال ۲۰۰۱ توسط شرکت نانترو (Nantero) ابداع شدند. براساس ادعای سازنده، این حافظه‌ها ۱۰۰۰ برابر عملکرد بهتری نسبت به DRAMها دارند، اما اطلاعات را همانند حافظه‌های فلش NAND ذخیره می‌کنند؛ به این معنا که زمانی که برق قطع می‌شود، حافظه اطلاعات را نگه می‌دارد.
در حال حاضر فناوری‌های مختلفی در بخش حافظه وجود دارد. بی‌سی‌سی پیش‌بینی می‌کند یک نبرد سخت میان آن‌ها به وجود خواهد آید که احتمالا در نهایت یکی از این فناوری‌ها برنده میدان باشد. بزرگترین مزیت این فناوری آن است که از دنیای سیلیکون به کربن تغییر مسیر داده است.
براساس گزارش اخیر بی‌سی‌سی، فناوری NRAM این قابلیت را دارد که براساس نیاز مشتری تغییر کند؛ به این شکل که تولیدکننده می‌تواند آن را برای کاری خاص تغییر دهد. بنابراین می‌توان آن را در حسگرهای اینترنت اشیاء، تلفن همراه، هدفون و خودروسازی مورد استفاده قرار داد.
در طول ۱۶ سال گذشته این فناوری مراحل بسیاری را پشت سر گذاشته وحتی در سال ۲۰۰۶ پیش بینی عرضه آن به بازار هم توسط سازنده این حافظه انجام شد، اما تا سال ۲۰۰۹ این فناوری در مرحله مهندسی باقی ماند.
شرکت فوجیتسو اعلام کرد که اولین تولیدکننده این حافظه در مقیاس انبوه خواهد بود. حافظه‌های NAND را می‌توان ۱۰۰ هزار بار نوشت و دوباره پاک کرد. این رقم برای حافظه‌های NRAM تقریباً ۱۰۱۲ مرتبه اعلام شده است.
