پژوهشگران کره‌ای با استفاده از نقاط کوانتومی صفربُعدی و قراردادن آن‌ها به صورت ساندویچی در میان لایه‌ای از جنس نیترید بور هگزاگونالی، موفق به تولید ساختار حافظه انعطاف‌پذیر شدند.
استفاده از نقاط کوانتومی برای ساخت حافظه
یک دستگاه حافظه انعطاف‌پذیر مبتنی بر نانومواد دو بعدی، عنصر حیاتی در نسل بعدی ادوات پوشیدنی است زیرا نقش مهمی در ذخیره‌سازی، پردازش و ارتباطات دارد. یک دستگاه حافظه بسیار نازک که با یک نانومواد ۲ بعدی چند نانومتری ساخته شده است، می‌تواند به طور قابل توجهی چگالی حافظه را افزایش دهد که منجر به توسعه یک حافظه متغیر مقاومتی انعطاف پذیر شود. با این حال، حافظه‌هایی که از نانومواد دو بعدی معمولی استفاده می‌کنند، به دلیل ویژگی‌های ضعیف به دام انداختن حامل‌ها در نانومواد، دارای محدودیت‌هایی هستند.
در مؤسسه علم و فناوری کره‌جنوبی، یک تیم تحقیقاتی به رهبری دکتر دونگ آیک سون اقدام به توسعه یک دستگاه حافظه شفاف و انعطاف‌پذیر کردند. برای این منظور، نقاط کوانتومی صفربعدی تک لایه تشکیل شد و بین دو ساختار نانومواد فوق نازک نیترید بور شش ضلعی دوبعدی عایق (h-BN) قرار گرفت.
این تیم تحقیقاتی دستگاهی را ساختند که می‌تواند با معرفی نقاط کوانتومی صفربُعدی با خواص محدودکننده کوانتومی عالی در لایه فعال و کنترل حامل‌ها در نانومواد دوبعدی، به یک نامزد حافظه نسل بعدی تبدیل شود. بر این اساس، نقاط کوانتومی صفربُعدی در یک ساختار کامپوزیتی عمودی روی هم قرار گرفتند که بین نانومواد h-BN شش ضلعی دو بعدی قرار بگیرند تا یک دستگاه شفاف و انعطاف‌پذیر تولید شود. بنابراین، دستگاه توسعه یافته شفافیت و عملکرد حافظه بالاتر از ۸۰٪ را حتی در صورت خم شدن حفظ می‌کند.
دکتر دانگ آیک سون اظهار داشت: «با افزودن نقاط کوانتومی بر روی لایه عایق h-BN شش ضلعی، ما پایه و اساس تحقیقات ساختار نانوکامپوزیت فوق‌العاده نازک را ایجاد کرده‌ایم. ما در نظر داریم در آینده فناوری کنترل لایه‌ها را برای ترکیب نانومواد ناهمگن با ابعاد پایین نظام‌مند کنیم و دامنه کاربرد آن را گسترش دهیم.»
نتایج این تحقیق در نشریه Composites Part B: Engineering به چاپ رسیده است.
