محققان آزمایشگاه ملی ساندیا در آمریکا کشف کردهاند که آرایههای نانولولههای کربنی تک جداره باعث اتلاف توان امواج میکرو میشوند. این اتلاف توان در محدوه فرکانس ۰۱/۰ تا ۵۰ گیگاهرتز به فرکانس وابسته بود.
اتلاف توان امواج میکرو توسط نانولولههای کربنی
۱۲ دی- محققان آزمایشگاه ملی ساندیا در آمریکا کشف
کردهاند که آرایههای نانولولههای کربنی تک جداره باعث اتلاف توان امواج
میکرو میشوند. این اتلاف توان در محدوه فرکانس ۰۱/۰ تا ۵۰ گیگاهرتز به
فرکانس وابسته بود.
Clark Highstrete از آزمایشگاه ملی ساندیا میگوید: تاکنون درباره اینکه
آیا نانولولههای کربنی تک جداره انرژی امواج میکرو و رادیویی را تلف
میکنند یا نه اطمینان وجود نداشت. اندازهگیریهای ما نشان میدهد که این
نانولولهها حداقل در دمای اتاق باعث اتلاف توان امواج میکرو میشوند. اما
تخمین زده میشود که میانگین افت توان به ازای هر نانولوله خیلی کم باشد،
به طوری که میتوان نانولولههای کربنی تک جداره را از نظر اتلاف کمِ توان
امواج میکرو، مواد مناسبی به حساب آورد.
Highstrete و همکارانش آرایههایی از هزار تا دههزار
نانولوله کربنی بر روی موجبرهای مسطح ایجاد کردند و آنها را موازی با قطبش
میدان الکتریکی آرایش دادند. اندازهگیری پارامترهای بازتابی و پراش عبوری
برای موجبرهای حاوی این آرایههای نانولولهای و فاقد آنها نشان داد که
موجبرهای پوشیده شده از نانولولهها باعث اتلاف بیشتر توان میشوند. همچنین
آرایهای با هزار نانولوله کربنی بیشترین میزان اتلاف را در حدود ده درصد
بیشتر از موجبرهای فاقد نانولولهها نشان داد.
اگر نانولولههای کربنی در تجهیزات فرکانس بالا از قبیل ترانزیستورهای
پرسرعت و فیلترهای غیرفعال بهکار گرفته شوند، دانستن خصوصیت اتلاف توان
فرکانس بالای این نانولولهها برای درک عملکرد صحیح آن بسیار مهم است. در
نهایت، هنگامی که درک کاملی از پاسخ الکترودینامیکی نانولولههای تک جداره
به دست آوردیم، این دانش میتواند اطلاعات اولیه مورد نیاز برای شبیهسازی
نانوتجهیزات دیگر را در سایر فرکانسها فراهم کند.
اعضای این گروه قصد دارند طیف هدایت AC آرایههای نانولولههای کربنی تک
جداره، را تا فرکانس ۵۰گیگاهرتز توصیف کنند. این روشها برای هر نانو ماده
تک بعدی به شکل مفتول یا لولهای کارآیی دارد. بنابراین امکان اندازهگیری
الکترودینامیکی نانوسیمها نیز فراهم میشود.