ساخت نانوسیم های درخشان

از نانوسیم‌های اکسیدگالیوم که چند میکرون و یا حتی چندین میلی‌متر
طول دارند می‌توان برای بررسی روند مهاجرت سلولها بر روی یک
صفحه استفاده کرد. در روشی که بوسیله محققان تایوانی ارائه شده
است ساختارهای خطی در صورت مجاورت با یک منبع اشعه ماوراء بنفش
نور آبی منتشر می‌سازند و از این رو الگوی مناسب‌تر و بهتری در
مقایسه با برخی نقاط کوانتومی بدست می‌آید.

مزایای دیگری نیز در این روش وجود دارد مخصوصاً در صورتی که
قرار باشد بر روی مواد مذکور نیز کار شود. درصورت استفاده از
نانو سیم‌های بسیار بلند استفاده از میکروسکوپ‌های الکترونی
جهت ساخت الکترودها جهت اندازه گیری‌های ابزاری ضروری نخواهد
بود.

محققان دریافتند که در صورتی که پیش ماده سیلیکون در درون
اکسیژن قرار گیرد و اکسید سیلیکون ضخیم بدست آید، آنها قادر
خواهند بود نانوسیم ها را به صورت افقی رشد دهند. در مرحله بعد
سطح آن با کاتالیست طلا پوشیده و درون راکتور لوله‌ای با دمایی
در حد ۷۵۰ درجه سانتیگراد قرار می‌گیرد. درون راکتور، نمونه در
مجاورت منبعی از گالیوم قرار گرفته و به مدت۵ ساعت در برابر
جریان ثابتی از نیتروژن قرار می‌گیرد.

بر این اساس، لایه Sio2 نمونه به عنوان منبع اکسیژن عمل کرده و
رشد افقی نانوسیم‌های اکسید گالیوم را ممکن می‌سازد. این افراد
امیدوارند که از واکنش مشابهی برای ارزیابی رشد افقی سایر
نانوسیم‌های اکسیدی نیز بهره ببرند.