مهندسان برق در دانشگاه استنفورد و شرکت توشیبا با استفاده از نانولوله‌های کربنی سیم‌کشی تراشه‌های سیلیکونی را انجام دادند. این تراشه‌ها با سرعتی مشابه سرعت تراشه‌های مورد استفاده در پردازنده‌ها و حافظه‌های تجاری کار می‌کنند.
استفاده از نانولوله‌های کربنی برای ایجاد اتصالات درون ترانزیستورها
|
مدارات مجتمع مانند تراشه‌های سیلیکونی درون تمام ابزارهای الکترونیکی پیشرفته، به اندازه سیم‌کشی‌های داخلی خود کارایی دارند، اما با نازک‌تر شدن سیم‌های مسی، آنها به محدودیت‌های عملکرد فیزیکی خود نزدیک می‌شوند. محققان امیدوارند سیم‌های تولید شده با استفاده از نانولوله‌های کربنی بتوانند بر این محدودیت غلبه کرده و تراشه‌های کوچک‌تری تولید کنند، اما تاکنون هیچکس موفق به استفاده از این سیم‌های نانولوله‌ای در تراشه‌های سیلیکونی نشده است. در مقاله‌ای که به صورت آنلاین در مجله Nano Letters منتشر شده است، مهندسان برق در فیلیپ وانگ استاد مهندسی برق دانشگاه استنفورد می‌گوید: «این برای اولین بار است که در حال حاضر ادامه قانون معروف مور با اما و اگر مواجه شده است؛ این قانون پیش‌بینی تراشه سیلیکونی که کلوز و همکارانش ساختند، یک آرایه ۲۵۶ مداری به نام «نوسانگرهای زمانی که کلوزریال وانگ، و محققان توشیبا این تراشه را طراحی می‌کردند، به طور عمدی کیفیت نانولوله‌ها و اتصالات آنها بسیارمتنوع بود، اما در نهایت ۱۹ نوسانگر حلقه با
|
