گروهی از محققان اسپانیایی از یک سامانه رسوبدهی لیزر پالسی برای تولید فیلمهای نازک هممحور بهره برده و بدین طریق عوامل موثر بر مغناطیسیسازی نانوسیمهای آهن را مطالعه کردند.
کنترل فرایند مغناطیسیسازی نانوسیمهای آهن
میتوان نانوسیمهای مغناطیسی با ویژگیهای مورفولوژیکی مختلف را با استفاده از فرایندهای مختلفی تولید کرد. از جمله روشهای معمول مورد استفاده میتوان به رسوبدهی روی بسترهای خودسامان و ساختاردهی مصنوعی فیلمهای نازک با استفاده از لیتوگرافی اشاره کرد. گروههای زیادی فرایندهای مغناطیسیسازی را مورد مطالعه قرار دادهاند و این فرایندها نه تنها به شکل، ابعاد، و ویژگیهای ذاتی ماده بستگی دارند، بلکه به بسیاری عوامل خارجی دیگر نیز وابسته هستند. این بدان معناست که این ساختارها به شرایط خاصی که در روند تولید وجود دارد، بسیار حساس بوده و در عمل امکان توصیف عمومی از رفتار مغناطیسی آنها وجود ندارد. استفاده عملی از نانوسیمهای مغناطیسی نیازمند فرایند مغناطیسیسازی کاملاً کنترلشده و مستقل از نواقص موجود در فرایند ساخت است و این امر یکی از موانع این کار بهشمار میرود. |
آرایهای از نانوسیمها: حلقههای hysteresis محاسبه شده و اندازهگیری شده |
دانشمندان Instituto de Ciencia de Materiales de Madrid (ICMM-CSIC) و دانشگاه فنی مادرید برای مطالعه دقیقتر این مسأله از یک سامانه رسوبدهی لیزر پالسی برای تولید فیلمهای نازک هممحور Au(۰۰۱)/Fe(۰۰۱)/Mg(۰۰۱) با کیفیت بالا که دارای لبههای بسیار تیز و صاف در سطح تماس Au/Fe و Fe/MgO هستند، بهره بردهاند. این گروه پژوهشی با استفاده از سه روش مختلف تابش یونی متمرکز، و لیتوگرافی توانایی بهدست آوردن چنین نانوساختارهایی با کیفیت بالا فرصتهای منحصربهفردی جزئیات این کار در مجله Nanotevhnology منتشر شده است.
|