در سال ۲۰۰۶ از سوی محققان آمریکایی پدیده‌ی « پیزومقاومت بزرگ» در نانوسیم‌های سیلیکونی گزارش شد؛ اما اکنون پژوهشگران فرانسوی و سوئیسی مدعی هستند که چنین پدیده‌ای وجود ندارد.
تردید در پدیده‌ی پیزومقاومت بزرگ(PZR)
در سال ۲۰۰۶ از سوی محققان آمریکایی پدیده‌ی « پیزومقاومت بزرگ» در نانوسیم‌های سیلیکونی گزارش شد؛ اما اکنون پژوهشگران فرانسوی و سوئیسی مدعی هستند که چنین پدیده‌ای وجود ندارد.
پیزومقاومت بزرگ(PZR) پدیده‌ای است که در آن، با کشیده شدن ماده، مقاومت الکتریکی آن افزایش می‌یابد. این پدیده ابتدا در نانوسیم‌های سیلیکونی دیده شد و به نظر می‌رسید که می‌تواند در نانوالکترونیک بهبود چشمگیری را ایجاد کند. کشف این پدیده چندین سال قبل در دانشگاه کالیفرنیا انجام شد و توجه بسیاری را به خود جلب کرد.
چندین سال است که فیزیک‌دانان با پدیده‌ی PZR آشنایی دارند، در این پدیده با اعمال فشار روی نیمه‌هادی، مقاومت آن به‌شدت تغییر می‌کند. فاکتور گاج(مقاومت در واحد فشار) برای سیلیکون توده‌ای تا ۱۰۰ تغییر می‌کند اما برای مواد پیزومقاومت بزرگ، این رقم تا چند هزار می‌رسد.
این پدیده کاربردهای بسیاری دارد؛ برای مثال در سیستم‌های نانومکانیکی، می‌تواند حرکت را تشخیص دهد در حالی که شناساگرهای رایج حساسیت لازم برای این کار را در این مقیاس ندارند. علاوه بر این، می‌توان از آنها در ترانزیستورهای نانومقیاس استفاده کرد.
اخیراً دو گروه تحقیقاتی در اکول پلی تکنیک فرانسه و دانشگاه ژنو در سوئیس پدیده‌ی PZR را زیر سؤال برده‌اند. آنها معتقدند که این پدیده تصنعی بوده، ارتباطی به فشار اعمال‌شده به نانوسیم‌های سیلیکونی ندارد. این گروه تصور می‌کنند، باری که در هنگام اعمال ولتاژ برای اندازه‌گیری مقاومت روی سطح ایجاد می‌شود، عامل اصلی این پدیده است. در واقع تغییر مقاومت طی فرایند اندازه‌گیری بار ایجاد می‌شود. PZR با استفاده از روش اندازه‌گیری مقاومت استانداردی سنجیده می‌شود. مشکل این روش آن است که نمی‌توان مقاومتی را که به دلایلی به جز اعمال فشار افزوده شده، با مقاومتی که به‌دلیل افزایش فشار افزوده شده، از هم تفکیک کرد. برای حل این مشکل، در این پروژه از فشار نوسانی استفاده شد، کاری که پیش از این انجام نشده بود؛ بنابراین قبلاً، تغییرات مقاومتی که منشاء گیراندازی بار داشت، به‌عنوان نتیجه‌ی اعمال فشار محسوب می‌شد. در حالی که با استفاده از فشار نوسانی مشخص شد که چنین فرضی غلط است.
یانگ، کاشف پدیده‌ی PZR، با نتایج این پروژه موافق نیست. او می‌گوید که در این پروژه از نانوسیم‌هایی استفاده شده که به روش بالا به پایین تولید شده‌اند،در حالی که در کار ما از نانوسیم‌های ساخته‌شده به روش پایین به بالا استفاده شده بود. سطوح فشار و حالت‌های سطح این دو نوع نانوسیم با هم متفاوت است. فقدان پدیده‌ی PZR در نانوسیم‌های بالا به پایین پیش از این در سال ۲۰۰۳ گزارش شده؛ بنابراین نتایج این پروژه چیز جدیدی نیست.
این بحث در میان محققان همچنان ادامه دارد.
