گروهی از محققان آمریکایی دسته کاملاً جدیدی از مواد با قابلیت تغییر فاز را تولید کردهاند. از این مواد میتوان در فناوریهای حافظه فازی با دسترسی اتفاقی (PCM) و شاید ذخیرهسازی اُپتیکی بهره برد.
تولید مادهای جدید برای حافظههای غیرفرار
توانایی انتقال سریع و آسان فاز در مواد با قابلیت تغییر فاز آنها را به گزینههای ارزشمندی برای تولید حافظههای غیرفرار یا حافظههای فلش تبدیل کرده است. حال گروهی از محققان آزمایشگاه ملی لورنس برکلی و دانشگاه کالیفرنیا در برکلی دسته کاملاً جدیدی از مواد با قابلیت تغییر فاز را تولید کردهاند. از این مواد میتوان در فناوریهای حافظه فازی با دسترسی اتفاقی (PCM) و شاید ذخیرهسازی اُپتیکی بهره برد. این مواد جدید که آرایههای نانوبلوری از فلزات و نیمهرساناها هستند، BEANs نامیده میشوند که مخفف نانوساختارهای آلیاژی دوتایی (باینری) اُتکتیک است. |
داریل چرزان، فیزیکدان رابط میان آزمایشگاه لورنس برکلی و دانشگاه کالیفرنیا میگوید: «با استفاده از جریان الکتریکی، نور لیزر و یا ترکیبی از این دو میتوان BEANs را در چند نانو ثانیه از بلوری به بیشکل و برعکس تبدیل کرد. این مواد جدید از نانوذرات ژرمانیوم-قلع که درون سیلیکا قرار گرفتهاند، ساخته شدهاند. با استفاده از این ترکیب ما توانستیم هر دو فاز جامد و بیشکل را پایدار ساخته و با تغییر ترکیب این ساختار، سینتیک کلیدزنی را به آسانی تنظیم نماییم». او میافزاید: «ما نشان دادهایم که BEANs میتوانند همانند نقاط کوانتومی آلیاژ اُتکتیک مادهای است که در پایینترین دمایی که برای ترکیب اجزای آن چرزان میگوید: «سرد کردن سریع و سپس ذوب کردن با استفاده از پالس لیزر، یک جزئیات این تحقیق در مجله Nano Letters منتشر شده است. |