محققان دانشگاه UCLA موفق شدند هدایت الکتریکی را در نانوروبان‌های عایق توپولوژیکی از جنس تلورید بیسموت تحت کنترل درآورند. برای این کار آنها از میدان الکتریکی خارجی استفاده کردند. این یافته پژوهشگران را قادر می‌سازد تا ادوات اسپینترونیکی و نانوالکترونیک نسل جدید و کم مصرف تولید کنند.
کنترل هدایت الکتریکی در عایق‌های توپولوژیکی
| محققان دانشگاه UCLA موفق شدند هدایت الکتریکی را در نانوروبان‌های عایق توپولوژیکی از جنس تلورید بیسموت تحت کنترل درآورند. برای این کار آنها از میدان الکتریکی خارجی استفاده کردند. این یافته پژوهشگران را قادر می‌سازد تا ادوات اسپینترونیکی و نانوالکترونیک نسل جدید و کم مصرف تولید کنند. در سال‌های اخیر، عایق‌های توپولوژیکی به‌عنوان موضوع داغی در دنیای فیزیک |
|
| در مقاله‌ای که در نشریه Nature Nanotechnology به چاپ رسیده است، پژوهشگران دانشگاه UCLA نشان دادند که در نانوروبان‌های عایق توپولوژیکی از جنس تلورید بیسموت، کانال‌های هدایت سطحی وجود دارد که حالت‌های سطح در آن قابل تنظیم است، یعنی می‌توان با تغییر محل سطح انرژی فرمی، هدایت را در آن افزایش یا کاهش داد. کانگ وانگ، استاد دانشگاه و از محققان این پروژه، می‌گوید این یافته ما را قادر می‌سازد تا ادوات اسپینترونیکی و نانوالکترونیک نسل جدید و کم مصرف، مانند حسگرهای مغناطیسی و حافظه‌ها، بسازیم. تلورید بیسموت یک ماده ترموالکتریک است که پیش‌بینی می‌شود تبدیل به یک عایق توپولوژیکی سه بعدی با حالت‌های سطحی منحصربه‌فرد شود. نتایج تحقیقات اخیر نشان داده است که این ماده به‌صورت توده‌ای دارای کانال‌های هدایت دو بعدی است که از حالت‌های سطحی نشات می‌گیرد. اما از آنجایی که ناخالصی‌هایی در این ماده وجود داشته و همچنین به دلیل وجود برانگیختگی‌های گرمایی، دشواری‌هایی در اصلاح هدایت سطحی این ماده وجود دارد. وانگ و همکارانش از نانوروبان‌های تلورید بیسموت به‌عنوان کانال‌های هدایت فاکسیان زیو می‌گوید ما نشان دادیم که می‌توان با استفاده از یک میدان نتایج این پروژه مسیر کنترل حالت‌های اسپین سطحی را در نانوروبان‌های عایق |
