غلبه بر محدودیت به ‌دام اندازی نور در پیل خورشیدی

بهترین عملکرد، در پیل‌های خورشیدی ضخیم است که قادرند طبف وسیعی از پرتوهای خورشید را دریافت کنند اما ارزان‌ترین پیل‌های خورشیدی آنهایی هستند که ضخامت بسیار کمی دارند. برای ترکیب این دو ویژگی، یک تیم تحقیقاتی یک پیل خورشیدی را طراحی کرده‌ که می‌تواند طیف وسیعی از پرتوهای خورشید را جذب کرده و همچنین ضخامتی در حد ۱۰ نانومتر داشته باشد.

بهترین عملکرد، در پیل‌های خورشیدی ضخیم است که قادرند طبف وسیعی از
پرتوهای خورشید را دریافت کنند اما ارزان‌ترین پیل‌های خورشیدی آنهایی
هستند که ضخامت بسیار کمی دارند. برای ترکیب این دو ویژگی، یک تیم تحقیقاتی
یک پیل خورشیدی را طراحی کرده که می‌تواند طیف وسیعی از پرتوهای خورشید را
جذب کرده و همچنین ضخامتی در حد ۱۰ نانومتر داشته باشد.
 
دنیس کالاهان، جرمی ماندی و هری آتواتر از موسسه فناوری کالیفرنیا اخیرا مقاله‌ای
در نشریه Nano Letters به چاپ رساندند که در آن روش جدیدی برای به‌دام اندازی نور
ارائه شده است. این کار در راستای تحقیقاتی انجام شده است که در سال ۱۹۸۲ صورت
گرفته و عنوان شده بود که یک محدودیت ترمودینامیکی برای جذب طول موج‌ها روی
نیمه‌هادی‌های همگن وجود دارد. برپایه این تحقیق، برای جذب تمام طیف نور خورشید یک
مینیمم ضخامت در پیل‌های خورشیدی وجود دارد. به‌همین دلیل پیل‌های خورشیدی امروزی
به‌صورت ضخیم تولید می‌شوند تا بتوانند بیشترین نور خورشید را به‌دام بیاندازند.
اما این کار موجب افزایش قیمت و پیچیده شدن فرآیند تولید می‌شود.

آنالیزهای قبلی درباره محدودیت به‌دام اندازی نور ( که به محدودیت ارگودیک معروف
است) نشان می‌دهد که در برخی پیل‌ها این محدودیت شکسته می شود که محققان توضیح
مناسبی برای بروز این پدیده ندارند.

محققان این پروژه چنین فرض کردند که کلید اصلی برای غلبه بر محدودیت به‌دام اندازی
نور، افزایش دانسیته حالت‌های نوری نیمه‌هادی‌ها است. از آنجایی که هر یک از این
حالت‌ها طول موج خاصی را می‌پذیرند بنابراین افزایش تعداد آنها می‌تواند به افزایش
مقدار جذب نور منجر شود.

دنیس کالاهان می‌گوید الان می‌توان گفت که چگونه باید یک پیل خورشیدی را طراحی کرد
تا بتوان بر محدودیت به‌دام اندازی نور غلبه نمود. کاری که شما باید بکنید آن است
که دانسیته حالت‌های نوری را افزایش دهید. روش‌ها و ابزارهای بسیاری برای طراحی و
افزایش دانسیته حالت‌های نوری وجود دارد. این تیم تحقیقاتی از این روش‌ها برای
بهبود عملکرد پیل‌های خورشیدی استفاده کردند.

نتایج این تحقیق نشان داد که با افزایش دانسیته حالت‌های نوری می توان ۹۹٫۹ درصد از
طبف نور خورشید را جذب کرد، حتی اگر ضخامت نیمه‌هادی مورد استفاده بین ۱۰ تا ۱۰۰
نانومتر باشد. همچنین با استفاده از مواد مختلف می‌توان از این محدودیت عبور کرد
برای مثال استفاده از بلورهای فتونیک یا مواد پلاسمونیک می‌تواند در این کار موثر
باشد. این گروه تحقیقاتی در حال حاضر درصدد یافتن راه‌های بهتری جهت افزایش دانسیته
حالت‌های نوری هستند.