محققان کانادایی نوعی روش دستکاری خودکار برای ساخت ترانزیستورهای اثر میدان (FET) ابداع کردند که محدودیت‌های روش‌های رایج بالا به پایین را ندارد و امکان کنترل دقیق تعداد نانوسیم‌ها و نانولوله‌های به‌کار رفته در تجهیزات نانویی را فراهم می‌کند.
ساخت ترانزیستورهای اثر میدان به وسیله دستکاری در مقیاس نانو
|
محققان کانادایی نوعی روش دستکاری خودکار برای ساخت ترانزیستورهای اثر میدان (FET) ابداع کردند که محدودیت‌های روش‌های رایج بالا به پایین را ندارد و امکان کنترل دقیق تعداد نانوسیم‌ها و نانولوله‌های به‌کار رفته در تجهیزات نانویی را فراهم می‌کند. ترانزیستورهای اثر میدان، ترانزیستورهایی هستند که برای کنترل شکل و روش‌های فعلی ساخت حسگرهای نانوسیمی سیلیکونی شامل روش‌های بالا به پایین |
|
| شکل a) و b): قبل و بعد از حذف نانوسیم‌ها بین الکترودهای منبع و تخلیه |
|
اخیراً محققان آزمایشگاه میکرو و نانوسیستم‌های پیشرفته دانشگاه تورنتو روش دستکاری خودکار نانومقیاس ابداع کرده‌اند که در صورت الحاق با روش‌های معمول قابیلت کنترل دقیق تعداد نانوسیم‌ها یا نانولوله‌ها را دارد. آنها یک الگوریتم خودکار درست کردند که می‌تواند یک نانوسیم منفرد را از یک ترانزیستور به‌طور فیزیکی حذف کند. در نتیجه، عملکرد ترانزیستور حاصل به‌دلیل کنترل دقیق تعداد و قطر نانوسیم‌ها تا حد زیادی بهبود می‌یابد. این فرآیند دستکاری نانومقیاس، شامل مراحل متعددی است که عبارتند از: شناسایی یک جزئیات این پژوهش در شماره اخیر مجله Nature Biotechnology منتشر شده است. |
