یک گروه تحقیقاتی نشان داد که گرافن میتواند حاوی حفرههایی با ابعاد ۱ تا ۱۲ نانومتر باشد. از این حفرهها میتوان برای جداسازی مواد مختلف استفاده کرد.
استفاده از حفرههای موجود در گرافن برای جداسازی
گرافن تا آن حدی که دانشمندان تصور میکردند غیر قابل نفوذ نیست. گروههای مختلف تحقیقاتی از موسسه فناوری ماساچوست و آزمایشگاه ملی اوک ریج نشان دادند که اگر گرافن را با استفاده از روش رسوب شیمیایی از فاز بخار تولید کنند روی آن نقصها و حفرههایی ایجاد میشود. نتایج تحقیقات این تیم تحقیقاتی نشان داد که مولکولهایی نظیر نمک میتواند از این حفرهها عبور کند اما مولکولهای بزرگتر قادر به عبور از آن نخواهند بود. نتایج این پروژه نشان داد که میتوان از گرافن در جداسازی مواد از آب استفاده کرد بهطوری که مواد آلاینده میکروسکوپی یا مواد زیستی مختلف را از آن جدا نمود.
روحیت کارنیک از محققان MIT میگوید هیچ کس تاکنون به حفرههای موجود در سطح گرافن دقت نکرده بود روشهای متعددی وجود دارد که میتوان این حفرهها را اصلاح کرد. کاری که ما انجام دادیم، فناوری نوینی برای تولید غشاء است.
کارنیک و همکارانش از موسسه فناوری ایندیا و دانشگاه شاه فهد نتایج این یافته خود را در نشریه ACS Nano به چاپ رساندند. این تیم تحقیقاتی غشائی به ابعاد ۲۵ میلیمتر مربع تولید کردند که در آن از گرافنی که با روش رسوب شیمیایی از فاز بخار ساخته شده بود استفاده کردند. آنها روشی برای انتقال این ورقه گرافن به روی زیرلایه پلیکربنات دارای حفره یافتند. بهمحض این که آنها موفق به انتقال این لایه شدند، تست آن را آغاز کردند برای این کار از آبی که حاوی مواد مختلف بود استفاده نمودند. تصور بر این بود که اگر گرافن غیرقابل نفوذ باشد، نباید نمکها از آن عبور کنند اما نتایج نشان داد که ذرات نمک میتوانند از این غشاء عبور کنند.
در تست دیگری، این تیم تحقیقاتی یک فویل مسی را با گرافن پوشانده و در معرض ماده شیمیایی قرار دادند. گرافن بهجای محافظت از مس، اجازه داد که ماده شیمیایی از آن عبور کرده و موجب خوردگی فویل شود. برای تست ابعاد حفرهها، محققان به بررسی مولکولهای عبوری نظیر آب پرداختند. نتایج نشان داد که اندازه حفرهها محدود بوده بهطوری که مولکولهای بزرگ نمیتوانند از آن عبور کنند. این گروه تحقیقاتی با استفاده از میکروسکوپ الکترونی به بررسی ابعاد حفره پرداختند نتایج نشان داد که قطر حفرهها بین ۱ تا ۱۲ نانومتر است.