یک گروه تحقیقاتی با استفاده از میکروسکوپ الکترونی عبوری موفق به ساخت نانوسیمی با قطر سه اتم شده است. نتایج این پژوهش میتواند در ساخت مدارها و ترانزیستورهای کوچک استفاده شود.
ساخت نانوسیمی به قطر سه اتم با میکروسکوپ الکترونی
جانهو لین و همکارانش از دانشگاه وندربیلت روشی برای ساخت نانوسیمهای کوچک با استفاده از پرتوهای متمرکز الکترونی یافتهاند. نانوسیمی که با این روش ساخته شده است قطری در حد سه اتم دارد. نتایج این پژوهش در نشریه Nature Nanotechnology به چاپ رسیده است.
محققان این پروژه معتقداند که این روش جدید میتواند مسیر تازهای به سوی دستکاری مواد در مقیاس نانو باز کند و در نهایت بتوان از آن برای ساخت مدارهای الکترونیکی با ضخامتی در حد یک اتم استفاده کرد.
لین و همکارانش از یک نیمههادی که به صورت طبیعی به شکل تک لایه است برای ساخت این نانوسیم استفاده کردند. این مواد که به دیکالکوژنید فلزات واسطه (TMDCs) شهرت دارند، از ترکیب مولیبدن یا تنگستن با گوگرد یا سلنیم بدست میآید. مشهورترین عضو این خانواده دیسولفید مولیبدن است که به عنوان روانساز جامد از آن استفاده میشود.
تکلایههای اتمی موضوع علمی بسیار جالبی محسوب میشود و از آنجایی که این مواد شفاف، انعطافپذیر، مستحکم با هدایت الکتریکی بالا هستند، قابلیت استفاده در حوزههای مختلف را دارند. گرافن یکی از مشهورترین تکلایههای اتمی است اما به دلیل برخی مشکلات، پژوهشگران درصدد استفاده از دیکالکوژنید فلزات برآمدهاند. پیش از این، از این ماده برای ساخت حافظههای فلش و ترانزیستور استفاده میشد. این پروژه نشان داد که از دیکالکوژنید فلزات واسطه میتوان برای ساخت سیمهای بسیار نازک استفاده کرد. سیمها از اجزاء اصلی ساخت مدارات و ترانزیستورها هستند.
لین میگوید: «این روش مبتنی بر میکروسکوپ الکترونی است، بنابراین از هر دستگاهی که دارای پرتو الکترونی باشد میتوان برای ساخت نانوسیم استفاده کرد. در حال حاضر بسیار زود است که بتوان گفت از این روش در چه حوزههایی میتوان استفاده کرد اما بسیاری از ادوات الکترونیک انعطافپذیر نیاز به چنین قطعات مستحکم و انعطافپذیری دارند».
لین در این پروژه از یک میکروسکوپ الکترونی عبوری روبشی (STEM) که قابلیت تمرکز پرتو الکترونی در حد نیم آنگستروم را داراست، استفاده کرد. این پژوهش بخشی از یک پروژهی بین المللی است که میان چند مرکز تحقیقاتی در آمریکا و ژاپن در جریان است.