شرکت فنلاندی پیکوسان اعلام کرد که دستگاه ALD این شرکت توسط یک مؤسسه روسی برای تولید حافظه‌های ReRAM مورد استفاده قرار گرفته است. این دستگاه لایه‌نشانی از دقت اتمی برخوردار است.
استفاده از دستگاه ALD برای تولید حافظه‌های ReRAM
شرکت پیکوسان (Picosun Oy) اعلام کرد که دستگاه پوشش‌دهی لایه‌نازک این شرکت برای تولید نوعی حافظه با سرعت بالا مورد استفاده قرار گرفته است. این حافظه‌ها برای تولید ادوات ذخیره اطلاعات ضروری هستند؛ حافظه‌هایی که دارای ظرفیت بالا و سرعت قابل توجهی نسبت به فناوری‌های رایج هستند. این حافظه‌ها با همکاری شرکت پیکاسون و مؤسسه فناوری و فیزیک مسکو ساخته شده‌است.
حافظه‌های ReRAM مبتنی بر مقاومت هستند و از جمله حافظه‌های غیرفرار محسوب می‌شوند که می‌توانند به نیاز موجود در بازار سامانه‌های ذخیره اطلاعات پاسخ دهند. این حافظه‌های کوچک، سریع و ساده بوده و در ولتاژهای بسیار پایین، ظرفیت بالایی دارند. با استفاده از این حافظه‌ها می‌توان ابعاد ادوات را کاهش و مصرف انرژی را افزایش داد و همچنین کارایی محصولات الکترونیکی را بهبود بخشید.
از حافظه‌های ReRAM بسیار کوچک که با ولتاژهای پایین کار می‌کنند، می‌توان در ادوات با مصرف انرژی کم، ادوات الکترونیکی قابل پوشیدن، اینترنت اشیاء و حسگری استفاده کرد.
تولید این حافظه‌ها و امکان کنترل روی ساختار آن‌ها بسیار دشوار است. استفاده از ALD از روش‌های عالی برای حل چالش‌های موجود در مسیر تولید این حافظه‌هاست. یکی از مزیت‌های این روش، امکان کنترل رشد نقص‌های اکسیدی روی سطح است. با ALD امکان کنترل دقیق سطح وجود دارد، به طوری که می‌توان با دقت اتمی ساختار سطح را کنترل کرد. در حال حاضر ALD فناوری رایج و ثابت شده در صنعت بوده که در بخش نیمه‌هادی به کررات مورد استفاده قرار می‌گیرد.
آندری مارکوف از مدیران مرکز فناوری نانو MIPT می‌گوید: «ما بسیار خوشحالیم که از فناوری Picosun ALD استفاده می‌کنیم. این دستگاه به ما اجازه می‌دهد تا مواد را به‌صورت لایه‌ای روی سطح قرار داده و در نهایت ساختار ReRAM با دقت در حد اتمی تولید کنیم. ما چند سال است که از دستگاه‌های لایه‌نشانی این شرکت استفاده کرده و دستاوردهای مختلفی به‌دست آورده‌ایم.»
