محققان شرکت IBM با همکاری پژوهشگرانی از اسکولتک در روسیه اقدام به بررسی رفتار نانولوله‌های کربنی در ساخت ترانزیستور کردند. آن‌ها نشان دادند که نانولوله‌ها با قطر کم گزینه بهتری برای ساخت ترانزیستور هستند.
نانولوله‌های با قطر کم برای ساخت ترانزیستور مناسب است
در حال حاضر نانولوله‌های کربنی به‌عنوان یکی از گزینه‌های مناسب برای استفاده در ترانزیستورها شناخته می‌شوند، اما رفتار نانولوله‌ها هنوز برای محققان شناخته شده نیست.
مرکز تحقیقات واتسون شرکت IBM با همکاری محققان اسکولتک (Skoltech) اقدام به بررسی رفتار نانولوله‌های کربنی نیمه‌هادی کردند تا از آن‌ها برای تولید نسل جدید ادوات الکترونیکی استفاده کنند.
در گذشته، الکترونیک دیجیتال سیلیکونی با روند کوچکتر شدن همراه شد، اما در حال حاضر این روند به نقطه‌ای رسیده که کوچکتر شدن آن با محدودیت‌هایی روبرو است. بنابراین باید راهبردهای جدیدی برای این کار ارائه کرد که در این راستا شرکت IBM اقدام به بررسی نانولوله‌های کربنی کرده است.
اولین چالش در مسیر استفاده از نانولوله‌های کربنی، مقاومت نقطه تماس است. نانولوله‌های کربنی دارای مقاومت کانالی بهتری نسبت به سیلیکون هستند، اما زمانی که ابعاد ترانزیستور کوچک می‌شود، مقاومت تماس به‌صورت مقاومت غالب در می‌آید.
لوله‌های نیمه‌هادی معمولاً برای ساخت ترانزیستور استفاده می‌شوند، اما برای ایجاد تماس فلز به کار می‌روند. فلز فشار زیادی به لوله‌ها وارد می‌کند که این موضوع موجب کشش سطح در لوله می‌شود. تحقیقات قبلی نشان داده بود که این فشار به قدری است که موجب صاف شدن لوله می‌شود. اما در این پروژه محققان نشان دادند که لوله نیمه‌هادی که با فلز صاف شده باشد، به‌صورت فلزی در می‌آید که این موضوع موجب افزایش مقاومت می‌شود. از بین رفتن تقارن محوری در اثر تغییر شکل، ریشه این تغییر رفتار است.
نتایج این پروژه می‌تواند مقاومت تماسی را کاهش دهد. این گروه پیشنهاد دادند که از لوله‌هایی با قطر کوچکتر استفاده شود. در واقع استفاده از لوله‌هایی با قطر کوچکتر امکان صاف شدن را کاهش می‌دهد. همچنین می‌توان از فلزات با کشش سطحی کمتر استفاده کرد.
نتایج این پروژه در قالب مقاله‌ای با عنوان Band Structure and Contact Resistance of Carbon Nanotubes Deformed by a Metal Contact در نشریه Physical Review Letters منتشر شده‌است.
