پایگاه خبری فناوری نانو ایرانآرشیو اخبار و مطالب - صفحه ۲ از ۳ - پایگاه خبری فناوری نانو ایران

محققان مؤسسه فناوری توکیو با توسعه مواد بوروفن‌ متورق شده با یون، موفق به افزایش بیش از ۱۰۵ برابری ظرفیت خازنی شده‌اند. این دستاورد می‌تواند آینده دستگاه‌های الکترونیکی را متحول کند و راه را برای ساخت ابزارهای پیشرفته‌تر و کارآمدتر هموار سازد.

محققان دانشگاه علم و فناوری پوهانگ کره‌جنوبی و موسسه ملی علوم مواد ژاپن راهی برای کنترل خواص گرافن با ترکیب ابررساناها و گرافن ابداع کرده‌اند. در این روش جدید، بین گرافن و ابررسانا نوعی اتصال ایجاد می‌شود.

با ایجاد نوعی نانوالیاف ترموالکتریک، نخ‌هایی تولید شده که قادر به تبدیل گرما به برق در ادوات پوشیدنی است. این نخ‌ها دوام طولانی مدت دارند.

با ساخت قطعه‌ای که همانند گردنبد به گردن آویخته شده و و حرکت لب را به گفتار تبدیل می‌کند، یک گام بلند در مسیر توسعه فناوری لب‌خوانی الکترونیکی برداشته شد.

محققان گرافن و ابریشم را برای توسعه میکروالکترونیک پیشرفته، ابزارهای پوشیدنی و تجهیزات محاسباتی نسل بعدی ترکیب می‌کنند.

دستگاه‌های فتوولتائیک پروسکایتی توجه زیادی را از سوی جامعه تحقیق و توسعه دانشگاهی و صنعتی به خود جلب کرده‌اند، چرا که راندمان تبدیل توان بالایی داشته و فرآیندهای تولید کم‌هزینه‌ای دارند. این ویژگی سلول‌های خورشیدی پروسکایتی را به انتخابی ایده‌آل برای ساخت و ادغام با مواد جدید فوق‌العاده نازک و سبک تبدیل می‌کند و شرکت‌ها را قادر می‌سازد تا خواسته‌های بازار نوظهور الکترونیک انعطاف‌پذیر را برآورده کنند و کاربردهایی را امکان‌پذیر کنند که با دستگاه‌های فتوولتائیک معمولی قابل دستیابی نیست.

براساس مقاله‌ای که در مجله Science منتشر شده، تیمی از دانشگاه ناگویا در ژاپن روش جدیدی برای تولید نانوسیم‌های فلزی کوچک (NWs) ارائه کرده است که پیش‌بینی می‌شود در الکترونیک نسل بعدی مورد استفاده قرار گیرد. با این روش جدید، آن‌ها می‌توانند نانوسیم‌های فلزی خالص را در مقیاس انبوه تولید کنند.