پایگاه خبری فناوری نانو ایرانآرشیو اخبار و مطالب - پایگاه خبری فناوری نانو ایران

لی سونگ وون از دپارتمان فیزیک و شیمی در موسسه علوم و فناوری Daegu Gyeongbuk (DGIST)، موفق به ساخت اولین ترانزیستور اثر میدان آلی نانومش (OFET) فوق نازک و قابل تنفس در جهان شد که می‌تواند در دستگاه‌های الکترونیکی استفاده شود. انتظار می‌رود نانومش OFET در ترکیب با حسگرهای مختلف، اندازه‌گیری مستقیم داده‌های فیزیولوژیکی از سطح پوست را امکان‌پذیر کند و پردازش داده‌ها را بهینه کند.