بنابرگفته دانشمندان ژاپنی، میتوان عملکرد ابزارهای نیمههادی را از طریق کنترل موقعیت ناخالصیهای به کار رفته درون آنها بهبود بخشید. Takahiro Shinada و همکارانش در دانشگاه Waseda توانستند از طریق وارد نمودن یونهای ناخالص به صورت تک به تک و تشکیل آرایهای از آنها، ولتاژ آستانه ترانزیستورها را کاهش دهند. همچنین این روش میتواند در ساخت رایانه کوانتومی مبتنی بر سیلیکون مفید باشد.
![](https://news.nano.ir/wp-content/uploads/2005/11/86251ba0f95747f694bbf3bd541bed1a.jpg)
وارد کردن ناخالصیها به نیمههادیها به صورت کاملاً کنترل شده