بنابرگفته دانشمندان ژاپنی، می‌توان عملکرد ابزارهای نیمه‌هادی را از طریق کنترل موقعیت ناخالصی‌های به کار رفته درون آنها بهبود بخشید. Takahiro Shinada و همکارانش در دانشگاه Waseda توانستند از طریق وارد نمودن یون‌های ناخالص به صورت تک به تک و تشکیل آرایه‌ای از آنها، ولتاژ آستانه ترانزیستورها را کاهش دهند. همچنین این روش می‌تواند در ساخت رایانه کوانتومی مبتنی بر سیلیکون مفید باشد.
وارد کردن ناخالصی‌ها به نیمه‌هادی‌ها به صورت کاملاً کنترل شده
