محققان دانشگاه هاروارد آمریکا موفق به ساخت بهترین نانوسیم ترانزیستوری شده‌اند. این نانوسیم از هسته ژرمانیوم و پوسته سیلیکونی تشکیل شده و از نوع ترانزیستورهای اثر میدانی (FET) می‌باشند که در آنها از دی‌الکتریک‌های با ثابت k بالا استفاده شده و دارای گیت فلزی رو به بالا می‌باشند.
ساخت ترانزیستورهای نانوسیمی با عملکرد بهتر
محققان دانشگاه هاروارد آمریکا موفق به ساخت بهترین
ترانزیستور نانوسیمی شده‌اند. این نانوسیم از هسته ژرمانیوم و پوسته
سیلیکونی تشکیل شده و در آنها از دی‌الکتریک‌های با ثابت k بالا استفاده
شده و دارای گیت فلزی با شکل مناسب رو به بالا است.
