ساخت نیمه‌‌رساناهای مغناطیسی

تصویر میکروسکوپی ابرالکترونی به همراه مدلی از ساختار بلوری گالیم آرسنید

سابقاً دمای گذار فرومغناطیسی GaAs دارای آلاینده منگنز –۸۸^{ْ C} بود. اما اگر قرار باشد از این ماده در کاربردهای الکترونیکی استفاده شود، این ماده در دمای اتاق نیز باید همچنان خاصیت مغناطیسی خود را حفظ کند. این دانشمندان با بررسی اثر قرار دادن اتم‌های منگنز در نقاط خاص، امیدوارند بتوانند خواص این ماده را بهینه‌سازی کنند.
به نظر محققان، نکته فنی مهم قرار دادن منگنز در شبکه بلوری زیرین است برای بررسی طرز کار این نیمه‌‌رسانا، رسوب دادن منگنز به تنهایی برای این کار کافی نیست و لازم است این نیمه‌‌رساناها را به صورت یک ماده یکپارچه منفرد درآورد.
یزدانی و همکارانش در این تحقیق از یک میکروسکوپ STM برای بررسی برهم‌کنش‌های بین اتم‌های منگنزی که درون این شبکه قرار داده بودند با حالت‌های الکترونی اتم‌های GaAs اطراف آن استفاده نمود. آنها دریافتند این برهم‌کنش فرومغناطیسی به شدت به جهت‌گیری بلورشناختی بستگی دارد.
محققان امیدوارند بتوانند از این یافته‌ها در رشد بلورهای GaAs جهتی با آلاینده‌های منگنز استفاده نموده و به این ترتیب دمای گذار فرومغناطیسی را افزایش دهند.
به نظر این محققان استفاده از روش STM، راهی منطقی برای ایجاد آرایه‌های دقیقی از اسپین‌های منفرد، به صورت بیت‌های کوانتومی جفت شده به منظور پردازش حافظه یا اطلاعات می‌باشند. نتایج این تحقیق در مجله Nature به چاپ رسیده است.