گروهی از محققان دانشگاه Lowa، دانشگاه ایلی‌نویز و دانشگاه پریستون، با استفاده از میکروسکوپ تونلی پیمایشی (STM)، اتم‌های منگنز را در نقاط دلخواه از نیمه‌‌رسانای گالیم آرسنید (GaAs) قرار دادند. ماده نیمه‌‌رسانایی که به این ترتیب به دست می‌آید در دستگاههای اسپینترونیک و ایجاد تراشه‌هایی با قابلیت ذخیره‌سازی و دستکاری داده‌ها کاربرد دارد.
ساخت نیمه‌‌رساناهای مغناطیسی
| گروهی از محققان دانشگاه Lowa، دانشگاه ایلی‌نویز و دانشگاه پریستون، با استفاده از میکروسکوپ تونلی پیمایشی (STM)، اتم‌های منگنز را در نقاط دلخواه از نیمه‌‌رسانای گالیم آرسنید (GaAs) قرار دادند. ماده نیمه‌‌رسانایی که به این ترتیب به دست می‌آید در دستگاههای اسپینترونیک و ایجاد تراشه‌هایی با قابلیت ذخیره‌سازی و دستکاری داده‌ها کاربرد دارد. |
| علی یزدانی از محققان دانشگاه پرینستون می‌گوید: “توانایی ساخت نیم‌رسانهایی در مقیاس اتمی از جمله آرزوهای دیرین متخصصان الکترونیک به شمار می‌آمد که استفاده از این روش می‌تواند راهی برای رسیدن به آن باشد. تااکنون ما راهی برای کنترل چگونگی قرار گرفتن اتم‌های منگنز در زیر لایه گالیم آرسنید وجود نداشت، و به عنوان مثال امکان تعیین بزرگی بیت‌های منگنز و یا این که این اتم‌ها به چه فاصله‌ای از هم قرار می‌گیرند وجود نداشت”
تصویر میکروسکوپی ابرالکترونی به همراه مدلی از ساختار بلوری گالیم آرسنید سابقاً دمای گذار فرومغناطیسی GaAs دارای آلاینده منگنز –۸۸ْ C بود. اما اگر قرار باشد از این ماده در کاربردهای الکترونیکی استفاده شود، این ماده در دمای اتاق نیز باید همچنان خاصیت مغناطیسی خود را حفظ کند. این دانشمندان با بررسی اثر قرار دادن اتم‌های منگنز در نقاط خاص، امیدوارند بتوانند خواص این ماده را بهینه‌سازی کنند. |
