جلسه دفاعیه از پایان نامه کارشناسی ارشد با عنوان: – بررسی روش فراوری ذرات نانومتری سرامیکهای مغناطیسی به روش هم رسوبی /آسیا کردن مکانیکی – توسط آقای کاوه شیخی مقدم یکشنبه ۲۶ شهریور ماه ۱۳۸۵ ساعت ۱۳ بعد از ظهر در اتاق ۲۰۸ دانشکده مهندسی مواد و متالورژی دانشگاه تهران برگزار خواهد شد.
برگزاری جلسه دفاعیه از پایان نامه کارشناسی ارشد در زمینه نانومواد مغناطیسی
| جلسه دفاعیه از پایان نامه کارشناسی ارشد با عنوان: ” بررسی روش فراوری ذرات نانومتری سرامیکهای مغناطیسی به روش هم رسوبی /آسیا کردن مکانیکی ” ارائه کننده: آقای کاوه شیخی مقدم زمان: یکشنبه ۲۶ شهریور ماه ۱۳۸۵ ساعت ۱۳ مکان: اتاق ۲۰۸ دانشکده مهندسی مواد و متالورژی دانشگاه تهران استاد راهنما:آقای دکتر ابولقاسم عطایی علاقه مندان جهت اطلاع از نحوه اعلام زمان دفاعیه پایان نامه‌های خود اینجا را کلیک کنند. |
|
| چکیده: ” در تحقیق حاضر پودر هگزافریت باریم با اندازه متوسط کریستالیت حدود ۲۵ نانومتر به روش هم رسوبی همراه با پروسه آسیاکاری مکانیکی میانی تهیه شده است. پارامترهای بررسی شده در این تحقیق دمای هم رسوبی، نوع آسیا و زمان آسیا کردن می باشند. آنالیز حرارتی مواد، ترکیب فازی و ریزساختار پودرها به ترتیب توسط DTA/TGA، XRD و SEM مورد بررسی قرار گرفت. نتایج نشان داد که با افزایش دمای هم رسوبی به ۸۰ درجه سانتیگراد، امکان ایجاد تک فاز هگزافریت باریم با کلسینه کردن پودرها در دمای ۱۰۰۰ درجه سانتیگراد میسر می شود. آسیا کردن میانی به مدت ۴۰ ساعت بر روی پودرهای سنتز شده در دمای محیط توسط آسیاهای کم انرژی، متوسط انرژی و پر انرژی، به ترتیب کاهشی در حدود ۱۵، ۴۱ و ۱۱۳ درجه سانتیگراد در دمای تشکیل هگزافریت باریم تک فاز ایجاد می‌کند. تصاویر میکروسکوپ الکترونی روبشی نمونه های کلسینه شده در ۱۰۰۰ درجه سانتیگراد، اندازه ذرات را برای چهار حالت آسیا نشده، آسیا شده توسط آسیای کم انرژی، متوسط انرژی و پر انرژی، به ترتیب ۹۳۰، ۶۱۲، ۶۰۲ و ۵۱۲ نانومتر برای نمونه‌های هم رسوبی شده در دمای محیط و ۹۱۲، ۶۰۷، ۵۸۱ و ۵۱۰ نانومتر برای نمونه های هم‌رسوبی شده در دمای ۸۰ درجه سانتیگراد نشان داد.” |
|
