محققان علم مواد LBNL (آزمایشگاه ملی لورنس برکلی) با همکاری دانشگاه برکلی کالیفرنیا و دانشگاه ایالتی Lowa نشان دادهاند که میتوان اصطکاک لغزشی نیمهرسانای Si نوع p و n را با تغییر میزان ناخالصی و اعمال یک میدان الکتریکی کنترل نمود . این یافته، کاربردهای مهمی در توسعه ابزارهای میکرو و نانو دارد.
![](https://news.nano.ir/wp-content/uploads/nanonews-20230619-100948.jpg)
کنترل الکترونیکی اصطکاک نیمههادیها
New Page 1
محققان علم مواد LBNL (آزمایشگاه ملی لورنس برکلی) |