محققان مؤسسه MESA+ هلند موفق به وارد کردن لایه نازکی از گادولینیوم به درون ترانزیستورهای سیلیکونی شدند. یک لایه گادولینیوم با ضخامت کمتر از یک نانومتر قادر است دنیای مغناطیس را به الکترونیک پیوند دهند، به طوری که وارد کردن مستقیم یک عنصر حافظه مغناطیسی درون یک ترانزیستور سیلیکونی امکان‌پذیر خواهد شد.
