گروهی از دانشمندان ذخیره‌سازی اطلاعات تک‌بیتی را در ابعاد اتمی نشان داده‌اند. ادعا می‌شود که این یافته می‌تواند راه را به‌سوی حافظه‌های نانومقیاس که صد برابر از RAMها و فلش‌های امروزی چگال‌ترند، هموارتر کند. این کار تحقیقاتی که به‌دست آندری سوکولو و برنارد دودین انجام شده‌است، به اسپینترونیک مرتبط است.
ادعای محققان در مورد ذخیره‌سازی در سطح اتمی
| اسپینترونیک بخشی از مکانیک کوانتوم است که در آن اسپین الکترون‌های جاری‌شونده در طول نانوسیم‌های فلزی تحت تأثیر حالت مغناطیسی اتم‌های نانوسیمی که در آن حرکت می‌کنند، قرار دارند. این پدیده، مقاومت مغناطیسی غیرهمسانگرد پرتابی (BAMR) نامیده می‌شود و کاملاً مشابه پدیده مقاومت مغناطیسی عظیم (GMR) است که در هدهای درایورهای جدید استفاده می‌شود. در BAMR ، اسپین الکترون‌ها می‌تواند مثبت یا منفی باشد و به‌صورت قابل تشخیصی علامت آن تغییر می‌کند. این دو حالت اسپین می‌توانند یک و صفر دودویی را نشان دهند و علامت آن با تغییر مقاومت سیم قابل تشخیص است. حافظه اسپینترونیکی با یک سیم کبالت به پهنای یک اتم که روی بستر سیلکونی قرار داشت، توصیف شد. ذخیره‌سازی BAMR می‌توانست از طریق سلول‌های منفرد تراز- بیت که از سیم‌های نانومقیاس با قابلیت مغناطیس‌شوندگی تشکیل شده‌اند، ساخته شود. حسگرهایی نیز برای تعیین جهت اسپین در هر سلول لازم بود؛ اما از آن نمی‌شد برای ذخیره‌سازی به‌صورت دیسک یا کاست استفاده کرد، زیرا محیط ضبط آنها پیوسته است و از سلول‌های جداگانه ساخته نشده‌اند. با نانومقیاس کردن سلول‌های منفرد BAMR، انتظار می‌رود به حافظه‌هایی برسیم که صد برابر یا حتی هزار برابر از RAMها و فلش‌های امروزی چگال‌تر باشند. دکتر چارلز بارنز، رئیس Dataslide، می‌گوید: «این پدیده به‌صورت بنیادی در مورد ظرفیت صحبت می‌کند. با در نظر گرفتن این نکته که بعضی از کارهای اساسی چندین سال پیش انجام گرفته‌است و اینکه فناوری‌های رقابتی بسیاری در این زمینه وجود دارد، من فکر می‌کنم که زمان زیادی طول می‌کشد که این پدیده بتواند مورد توجه یک شرکت سخت‌افزار قرار بگیرد و در حال حاضر به نظر می‌رسد که ذخیره‌سازی پروبی عمومی‌تر و مطلوب‌تر باشد. دکتر سیمون کارینگتون، از Farfield ، می‌گوید: «ظرفیت نسبی به نظر بالاست. در مراحل اولیه کار، صحبت کردن در مورد پتانسیل تجاری آن مشکل است. حداقل پنج سال زمان یک حدس بسیار خوب است». سایر پیشرفت‌ها در زمینه فناوری حافظه‌های نانومقیاس شامل کار شبکه نانوسیمی می‌شود. کارینگتون می‌گوید: «این زمینه (حافظه فناوری‌نانو) روزبه‌روز در حال تغییر است. چه کسی می‌داند که در مدت زمان پنج سال چه اتفاقی خواهد افتاد؟ نتایج این تحقیق در مجله Nature Nanotechnology منتشر شده‌است. |
