رهایی نانولوله های کربنی از قانون مور

در سالهای آینده فناوری ساخت نیمه‌هادی از مقیاس۹۰ نانومتر که هم‌اکنون رایج است به ۶۵ و ۴۵ نانومتر تقلیل می‌یابد. در حال حاضر شرکت اینتل بر روی پردازشگرهایی با اندازه۳۲ نانومتر کار می‌کند و انتظار می‌رود که تا سال ۲۰۰۹ وارد بازار شوند.

در سالهای آینده فناوری ساخت نیمه‌هادی
از مقیاس۹۰ نانومتر که هم‌اکنون رایج است به ۶۵ و ۴۵ نانومتر تقلیل می‌یابد.

در حال حاضر شرکت اینتل بر روی پردازشگرهایی با اندازه۳۲ نانومتر کار می‌کند
و انتظار می‌رود که تا سال ۲۰۰۹ وارد بازار شوند.

نتیجه این تلاشها یک میلیارد پردازشگر ترانزیستوری خواهد بود که بصورت یک
میلیارد یا بیشتر مدار مبتنی بر ترانزیستور در یک تراشه جمع می‌شوند.

یکی از مشکلات رو به رشدی که طراحان تراشه با آن مواجه هستند دانسیته بالای
اجزای تشکیل‌دهنده این تراشه‌ها است که اتصال آنها را بسیار مشکل می‌کند.

به همین دلیل به منظور ادامه روند پیش‌بینی شده بوسیله قانون مور، حداقل
برای چند سال دیگر، پژوهشگران به دنبال موادی برای جایگزین کردن
ترانزیستورها و اتصالات بین‌ آنها هستند و یکی از اولین کاندیداها برای این
کار نانولوله‌های کربنی تک جداره هستند.

به هرحال امروزه یکی از بزرگترین محدودیت‌های تکنیک‌های ساخت تجهیزات
متداول مبتنی بر نانولوله‌های کربنی، ناتوانی افزایش مقیاس فرآیند به منظور
ساخت تعداد زیادی از قطعات بر روی یک تراشه منفرد است.

پژوهشگران آلمانی نصب دقیق و هدایت شده ابزارهای نانولوله‌ای منفرد را با
دانسیته حدود چند میلیون قطعه در سانتی‌متر مربع، با استفاده از جنبه جدید
از دی‌الکتروفورز نانولوله‌ای شرح دادند.

این پیشرفت، گام بزرگی به سمت تحقق تجاری شدن ابزارهای الکترونیکی مبتنی بر
نانولوله‌های کربنی و تجمع آنها بر روی پردازشگرهای سیلیکونی رایج می‌باشد.