مهندسان و دانشمندان تایوانی یک افزاره حافظه‌ای غیر فرار آلی اختراع کرده‌اند که از نانوذرات طلای ترکیب‌شده با پلیمری استفاده می‌کند که بین دو الکترود آلومینیومی قرار گرفته‌است. دانشمندان دانشگاه ملی چونگ هسینگ در تایوان ادعا می‌کنند که به موفقیت بزرگی در توسعه یک افزاره حافظه‌ای ۱۶ بایتی ارزان قیمت دست یافته‌اند.
پایدارسازی حافظه‌های آلی با نانوذرات طلا
مهندسان و دانشمندان تایوانی یک افزاره حافظه‌ای غیر فرار آلی اختراع کرده‌اند که
از نانوذرات طلای ترکیب‌شده با پلیمری استفاده می‌کند که بین دو الکترود آلومینیومی
قرار گرفته‌است. دانشمندان دانشگاه ملی چونگ هسینگ در تایوان ادعا می‌کنند که به
موفقیت بزرگی در توسعه یک افزاره حافظه‌ای ۱۶ بایتی ارزان قیمت دست یافته‌اند.
تلاش‌های مشترک دانشمندان دانشگاهی و انجمن تحقیقات فناوری صنعتی، منجر به ساخت یک
افزاره حافظه‌ای غیر فرار آلی شده‌است. پیش از این، مهندسان تلاش‌هایی برای ساخت
افزاره‌های حافظه‌ای غیر فرار از پلاستیک و سایر مشتقات کرین انجام داده بودند.
حافظه‌های آلی کربنی انعطاف‌پذیر در ساخت RFID، کارت‌های هوشمند و صفحه نمایش‌های
انعطاف‌پذیر گوشی‌های موبایل کاربرد حیاتی دارند.
اصلی‌ترین مشکل پیش روی مهندسان و دانشمندان، این است که افزاره‌های حافظه‌ای آلی
در هوا و نیز در اثر نوشتن– خواندن‌های متوالی از بین می‌روند. افزاره حافظه‌ای
حاصل از این فناوری بزرگ از ترکیب نانوذرات طلا با پلیمری به نام PCm ـ که بین دو
الکترود آلومینیومی قرار داده شده‌است ـ استفاده می‌کند. این ساختار هنگامی که به
حالت غیر فعال باشد جریان اندکی را تولید می‌کند؛ ولی با افزایش ولتاژ تا اندازه دو
ولت، ده هزار برابر جهش جریان خواهد داشت.
زینگ‌وی پی، یکی از این محققان و استادیار مهندسی برق در NCHU، می‌گوید که افزودن
نانوذرات طلا باعث پایداری بیشتر حافظه‌های آلی و بالا رفتن تحمل آنها تا هزار بار
نوشتن– خواندن می‌گردد. به نظر وی و همکارانش تعداد کمی الکترون قبل از اینکه
افزاره به حالت آستانه برسد، مجازاً از یک نانوذره طلا به دیگری می‌پرند. بعضی از
این الکترون‌ها به دام می‌افتند و باعث ایجاد یک مسیر رسانش برای به کار افتادن
افزاره می‌گردند. در این فرایند ولتاژهای کمتر، جریان بیشتری را حمل کرده، آن ذخیره‌سازی
جریان را آغاز خواهد کرد. این جریان ذخیره‌شده با اعمال یک ولتاژ منفی به‌سادگی از
بین می‌رود.
این افزاره جدید حتی هنگامی که در معرض هوای آزاد باشد، می‌تواند داده‌ها را تا ده
روز حفظ کند. پروفسور پی اعتقاد دارد که پایداری این افزاره می‌تواند بهبود یابد و
زمان نگهداری آن به ۳۰ روز نیز خواهد رسید.
گروه‌های تحقیقاتی دیگری در پروژه‌های مربوط به افزاره‌های حافظه‌ای غیر فرار آلی
فعالیت دارند. بعضی از آزمایشگاه‌ها مشغول مطالعه نانوذراتی نظیر کربن-۶۰، و ترکیب
آنها با پلاستیک هستند. بعضی دیگر مشغول مطالعه پلاستیک به‌عنوان قسمتی از ساختار
ترانزیستور آلی هستند.
این افزاره حافظه‌ای انعطاف‌پذیر آلی در همایش بین المللی IEEE در افزاره‌های
الکترونیکی سال ۲۰۰۷ در واشنگتن دی. سی. مورد بحث و بررسی قرار گرفت. در این همایش
این گروه تایوانی، طرح مربوط به ساخت کارت‌های هوشمندی را مطرح کرد که از این
افزاره‌های حافظه‌ای جدید ساخته شده‌اند.
