حافظه فلش ۱۶گیگابیتی NAND با فراوری ۴۳ نانومتری

شرکت توشیبا، سازنده حافظه فلش NAND بسیار چگال و قدرتمند، اعلام کرد که
با همکاری شعبه آمریکایی خود، فناوری تولید تراشه حافظه فلش ا۱۶
گیگابیتی(دو گیگا بایتی) NAND توسعه داده‌است. این تراشه با فناوری
فراوری ۴۳ نانومتری ـ که با همکاری شرکت سان‌دیسک میلپیتاس توسعه داده
شده‌است ـ ساخته شده‌است.

مساحت تراشه‌ای این محصول جدید ۱۶ گیگابیتی، حدود ۱۲۰ میلی‌متر مربع است
که کمتر از یک سوم مساحت تراشه‌ای حافظه‌های فلش NAND ـ با همان چگالی
و با فناوری فراوری ۵۶ نانومتری است. سلول‌های حافظه‌ای در رشته‌های ۶۴
سلولی NAND مجتمع و کنترل می‌شوند.
این فناوری منجر به کاهش تعداد گیت‌های انتخابی و بهبود بازده مساحت
حافظه می‌شود، همچنین اصلاح طرح مدار جانبی به کاهش مساحت تراشه کمک می‌کند:
افزودن سوئیچ‌های ولتاژ بالا به این مدار، تعداد مدارهای راه‌انداز گیت
کنترل لازم را کاهش می‌دهد، همچنین باس‌های زمین روی آرایه‌های سلول
حافظه قرار داده می‌شوند.
توشیبا تولید نمونه‌های تجاری تک‌تراشه ۱۶ گیگابیتی
(۲ گیگابایت) جدید(حافظه‌های فلش NAND سلول چند سطحی) را شروع کرده‌
است و در ماه‌های آینده نیز تولید انبوه را شروع می‌کند. توشیبا تمایل
دارد تولید انبوه حافظه‌های فلش NANDا ۳۲ گیگابیتی(چهارگیگابایتی) را
به‌زودی در سه ماهه سوم ۲۰۰۸ شروع کند. این تراشه‌های جدید در فاب چهار
(آخرین خط تولید ویفر ۳۰۰ میلی‌متری در شرکت توشیبا) تولید خواهند شد.

توشیبا، با ترکیب فراوری پیشرفته و فناوری‌های سلول چند سطحی(MLC) و
ادامه پیشرفت در بازده تولید، تمایل دارد تا رقابت‌پذیری خود در زمینه
هزینه را افزایش داده، نیازهای بازار حافظه فلش NAND را برآورده سازد.

فناوری این تراشه جدید کنفرانس بین‌المللی مدارهای حالت جامد (ISSCC)
در سان فرانسیسکو گزارش شده بود.