اخیراً محققانی از دانشگاه آگزبورگ (Augsburg) در آلمان دریافته‌اند که می‌توان سیم‌های نانومقیاس و نواحی رسانا را با استفاده از نوکِ رسانای یک میکروسکوپِ نیروی اتمی، به راحتی بر روی مواد اکسیدی نوشت و یا از روی آنها پاک کرد. می‌توان در آینده از این فناوری در ذخیره داده‌ها و محاسبات بهره گرفت.
نوشتن مدارات الکتریکی با استفاده از یک AFM
اخیراً محققانی از دانشگاه آگزبورگ (Augsburg) در آلمان دریافته‌اند که می‌توان سیم‌های نانومقیاس و نواحی رسانا را با استفاده از نوکِ رسانای یک میکروسکوپِ نیروی اتمی، به راحتی بر روی مواد اکسیدی نوشت و یا از روی آنها پاک کرد. می‌توان در آینده از این فناوری در ذخیره داده‌ها و محاسبات بهره گرفت.
در این کشف از نتایجِ کشف اخیر دانشمندان در زمینه سطحِ مشترکِ دو اکسید نارسانا، استفاده شده است. پیش از این، نشان داده شده بود که سطح مشترک LaAlO3 و SrTiO3 با اعمال ولتاژ، تغییر وضعیت (رسانا یا نارسانا) می‌دهد.
محققان مذکور که در این راه با دانشمندانی از دانشگاه پیتزبورگ و آزمایشگاه تحقیقاتی ناوال همکاری می‌کرده‌اند، نشان داده‌اند که یک نوکِ ولتاژدارِ AFM می‌تواند این تبدیلِ فلز-نارسانا را به شکل موضعی کنترل کند. به عبارت دیگر، یک ولتاژِ مثبت، در ناحیه‌ای از سطح مشترک که زیر نوک قرار دارد حالت فلزی ایجاد کرده و یک ولتاژ منفی، یک حالت نارسانا به وجود می‌آورد.
جرمی لوی، سرپرست گروه تحقیقاتی مذکور در این باره گفت: «ما توانستیم خطوطی با اندازه ۳ نانومتر را به شکل متناوب نوشته و پاک کنیم و نقاط رسانای عایق‌داری تولید کردیم که حتی از این اندازه نیز کوچکتر بودند. این فناوری در آینده می‌تواند کاربردهای بالقوه‌ای در زمینه ذخیره داده‌ها و محاسبات داشته باشد و ما هم‌اکنون به دنبال تحقق بخشیدن به چنین کاربردهایی می‌باشیم.»
نتایج این بررسی اخیراً در نشریه‌ی Nat. Mater به چاپ رسیده است.
