دانشمندان یکی از مؤسسات آلمان، یکی از انواع اثر دومینو را در ردیف‌هایی از اتم‌های منگنز که بر روی سطح نیکل نشانده شده‌اند، کشف کردند. آنها دریافتند که موضع‌گیری مغناطیسی در این نانوسیم‌ها به طول آنها وابسته است و با تغییر طول آنها تغییر خواهد کرد.
آشفتگی در ردیف اتم‌ها بر اثر تأثیرات گشتاورهای مغناطیسی
دانشمندان یکی از مؤسسات آلمان، یکی از انواع اثر دومینو را در ردیف‌هایی از اتم‌های منگنز که بر روی سطح نیکل نشانده شده‌اند، کشف کردند.
آنها دریافتند که موضع‌گیری مغناطیسی در این نانوسیم‌ها به طول آنها وابسته است و با تغییر طول آنها تغییر خواهد کرد. با به‌کارگیری شبیه‌سازی کامپیوتری و مدل‌های آماری، دانشمندان دریافتند که می‌توان با افزودن و یا خارج کردن تنها یک اتم، ساختار مغناطیسی نانوسیم را به‌کلی تغییر داد؛ به‌خصوص زمانی که تعداد اتم‌ها فرد است، گشتاورهای مغناطیسی بیانگر این مطلب است که تا چه اندازه نانوسیم به‌صورت آهن‌ربا عمل می‌کند و مرتباً در جهت‌های مخالف جهت‌گیری می‌کنند.
زمانی که تعداد اتم‌ها زوج است، گشتاورها تصادفاً جهت‌گیری می کنند و به‌صورت آشفته در موقعیت‌های مختلف قرار می‌گیرند. افزودن یک اتم به اتم‌های نانوسیم یا برداشتن یک اتم باعث می‌شود که گشتاورهای مغناطیسی به‌صورت ردیف‌های منظم جهت‌گیری کنند(همانند ردیف‌هایی از بازی دامنه ولی به‌صورت کاملاً معکوس). این اثر کوانتمی جدید، ساخت کلیدهای مغناطیسی را در مقیاس اتمی و امکان استفاده از آن را در انتقال و نگهداری از اطلاعات مغناطیسی در فضاهای بسیار کوچک ممکن می‌سازد.
کار این گروه در طراحی قطعات محاسباتی با سرعت بالا، ظرفیت نگهداری بالا و ذخیره‌سازی انرژی مهم است. نویسنده امیدوار است که در آینده‌ای نزدیک این امر به‌صورت آزمایشگاهی به اثبات برسد.
