شرکت آی‌بی‌ام و شرکای وی(ای‌ام‌دی، فری‌اسکیل، اس‌تی‌میکروالکترونیک، توشیبا و دانشگاه آلبانی) اعلام کرده‌اند که نخستین حافظه دسترسی تصادفی پایا(SRAM) را که از فناوری گره ۲۲ نانومتری بهره می‌گیرد، ساخته‌اند. این افزاره در بخش تحقیقات ۳۰۰ میلی‌متری این شرکت واقع در شهر آلبانی ایالت نیویورک، ساخته شده‌است.
ساخت کوچک‌ترین حافظه SRAM در دنیا
شرکت آی‌بی‌ام و شرکای وی(ای‌ام‌دی، فری‌اسکیل، اس‌تی‌میکروالکترونیک، توشیبا و
دانشگاه آلبانی) اعلام کرده‌اند که نخستین حافظه دسترسی تصادفی پایا(SRAM) را که از
فناوری گره ۲۲ نانومتری بهره می‌گیرد، ساخته‌اند. این افزاره در بخش تحقیقات ۳۰۰
میلی‌متری این شرکت واقع در شهر آلبانی ایالت نیویورک، ساخته شده‌است.
تراشه‌های SRAM در ساخت افزاره‌های پیچیده‌تری چون ریزپردازنده‌ها قابل استفاده
خواهند بود. در سلول این SRAM، از یک طرح شش ترانزیستور‌ی معمولی استفاده شده و
مساحت سطح آن ۱/۰ اum2است و به این شکل، موانع پیشین در خصوص مقیاس‌پذیری SRAM حذف
گردیده‌است. این کشف در CNSE(دانشکده‌ای که آی‌بی‌ام و شرکایش اکثر تحقیقات پیشرفته
خود در زمینه نیمه‌رسانا را در آن انجام می‌دهند) صورت گرفته‌است. دکتر تی‌سی چن،
نایب رئیس بخش علم و فناوری در آی‌بی‌ام ریسرچ، در این باره گفت:«ما به روی کوچک‌ترین
اندازه‌های ممکن متمرکز بوده‌ایم و به سوی نسل‌های بعدی فناوری‌های نیمه‌رسانای
پیشرفته گام برداشته‌ایم. این گام، برای تداوم روند کوچک‌سازی اندازه‌ها در
میکروالکترونیک، امری ضروری است.» ۲۲ نانومتر، فناوری دو نسل بعد ساخت تراشه است.
نسل‌بعدی، ۳۲ نانومتر است و هم‌اکنون آی‌بی‌ام و شرکایش با فناوری گیت فلزی K-
بالای ۳۲ نانومتری پیشتاز خود که هیچ شرکت و یا مؤسسه دیگری قادر به عرضه آن نیست،
بر روی این حوزه تمرکز کرده‌است.
از دیدگاه سنتی، یک تراشه SRAM که از طریق کاهش اندازه اجزای سازنده اصلی‌اش(که
اغلب یک سلول نامیده می‌شود) کوچک‌تر می‌شود. این محققان، به‌منظور ارتقای پایداری،
طرح سلول SRAM و شکل مدار را بهینه کرده‌اند و برای عملی کردن تولید این سلول جدید،
چندین فرایند ساخت جدید را ابداع نموده‌اند. آنها از لیتوگرافی غوطه‌وری NA- بالا
استفاده کردند و ساختارهایی را با اندازه‌ها و چگالی‌های چالش‌آمیزِ مذکور چاپ
نمودند و قطعات یادشده را در محیط تحقیقاتی پیشرفته خود که بر روی نیمه‌رسانای ۳۰۰
میلی‌متری متمرکز است، ساخته‌اند.
اندازه سلول SRAM، یک معیار اصلی در ارزیابی فناوری در صنعت نیمه‌رساناست و این
تحقیق نشان می‌دهد که آی‌بی‌ام و شرکایش به پیشگامی خود در این حوزه ادامه می‌دهند.
پیشرفت‌ها و ابزارهایی که موجب شده‌اند تا ساخت چنین سلولی ممکن شود، عبارتند از:
پشته‌های گیت فلزی K- بالای لبه‌ای نواری، ترانزیستورهایی که طول گیت آنها کمتر از
۲۵ نانومتر است، فاصله‌دهنده‌های نازک، ایمپلنت‌های مشترک جدید، فرایندهای فعال‌سازی
پیشرفته، سیلیسید فوق‌العاده نازک و اتصالات مسی زرنشان.
جزئیات بیشتری از این کشف در نشست فنی بین‌المللی سالانه افزاره‌های الکترونی
IEEE(که در روزهای ۱۵ تا ۱۷دسامبر ۲۰۰۸ در سان‌فرانسیسکو برگزار شد) ارائه گردید.
