کنترل ساختار بلوری نانوسیم‌ها در حد اتمی

محققان علوم نانو در دانشگاه لوند سوئد موفق به کنترل رشد و ساختار بلوری نانوسیم‌ها در حد اتمی شدند. چگونگی این کار در مقاله‌ای در مجله‌ی Nature Nanotechnology تشریح شده است. طبق گفته‌های دکتر لارس ساموئل، یکی از این محققان، این یک تحول در رشد نانوسیم‌ها و درک مبانی فیزیک مواد به شمار می‌رود.

محققان علوم نانو در دانشگاه لوند سوئد موفق به کنترل رشد و ساختار بلوری
نانوسیم‌ها در حد اتمی شدند. چگونگی این کار در مقاله‌ای در مجله‌ی Nature
Nanotechnology تشریح شده است. طبق گفته‌های دکتر لارس ساموئل، یکی از این
محققان، این یک تحول در رشد نانوسیم‌ها و درک مبانی فیزیک مواد به شمار می‌رود.

مدت زیادی است که محققان می‌دانند که نیمه‌هادی‌های مورد استفاده در نانوسیم
ها، ازجمله آرسنید ایندیوم (InAs) که در این مطالعه مورد برررسی قرار گرفته
است، در مرحله‌ی رشد لایه به لایه، دچار یکسری بی‌قاعدگی‌ها می‌گردند. این
اثرات موجب تغییرات کنترل‌نشده در خواص الکترونیکی و نوری نانوساختارها شده،
لذا نامطلوب تلقی شده و بهتر است برطرف گردد.

با پیشرفت جدید در کنترل این تغییرات، نه تنها می‌توان نانوسیم‌های کامل و
بی‌نقص تولید کرد، بلکه می‌توان حتی نوع ساختار بلوری آنها را نیز تعیین و
کنترل نمود.

به گفته‌ی یکی از پژوهشگران این تحقیق به نام دیک، دو مورد از پارامترهای کلیدی
در کنترل ساختار بلوری نانوسیم هخا عبارتند از، قطر نانوسیم و دمای رشد آن؛ اما
در مجموع باید بین ۱۰ تا ۱۲ پارامتر مختلف را در هنگام رشد نانوسیم‌ها کنترل
نمود.

هرچند این نتایج برای نانوسیم دو جزئی ایندیوم آرسنید به دست آمده است، اما
اعتقاد بر این است که این سازوکار کنترل ساختار را می‌توان در مورد سایر مواد
نیمه‌هادی که در فناوری نانو مورد استفاده قرار می‌گیرند نیز به کار برد.

تصاویر میکروسکپی نشان می‌دهد که آرایش اتم‌ها در نانوسیم ها، کاملاً با شبیه
سازی‌های تئوری تطابق دارد.

قطر نانوسیم‌ها در این مطالعه، بین ۱۰ تا ۱۰۰ نانومتر و طول آنها چند میکرومتر
بود.