ابزارهایی که به نام دریچه‌های اسپینی شناخته می‌شوند، در حال حاضر در مواردی همچون حافظه‌های با دسترسی اتفاقی مغناطیسی (MRAMs) مورد استفاده قرار می‌گیرند؛ اما لازم است کارایی این حافظه‌ها از طریق ایجاد ابزارهای کوچک‌تر با دانسیته بالاتر بهبود یابد. از طریق معکوس نمودن جهت‌گیری مغناطیسی آهنرباهای نانومقیاس با استفاده از یک جریان قطبیده می‌توان به این مهم دست یافت(به نام انتقال اسپین نیز شناخته می‌شود)، اما مشکل این است که هنوز هم جریان مورد نیاز برای معکوس نمودن این نانوآهنرباها نسبتاً بالاست. حال محققان فرانسوی و آمریکایی این جریان را برای یک ابزار به اندازه ۴۵ نانومتر تا حد ۱۲۰ میکروآمپر در دمای اتاق کاهش داده‌اند.
تولید دریچه‌های اسپینی با مصرف انرژی کمتر
|
ابزارهایی که به نام دریچه‌های اسپینی شناخته می‌شوند، در حال حاضر در مواردی همچون حافظه‌های با دسترسی اتفاقی مغناطیسی (MRAMs) مورد استفاده قرار می‌گیرند؛ اما لازم است کارایی این حافظه‌ها از طریق ایجاد ابزارهای کوچک‌تر با دانسیته بالاتر بهبود یابد. از طریق معکوس نمودن جهت‌گیری مغناطیسی آهنرباهای نانومقیاس با استفاده از یک جریان قطبیده می‌توان به این مهم دست یافت(به نام انتقال اسپین نیز شناخته می‌شود)، اما مشکل این است که هنوز هم جریان مورد نیاز برای معکوس نمودن این نانوآهنرباها نسبتاً بالاست. حال محققان فرانسوی و آمریکایی این جریان را برای یک ابزار به اندازه ۴۵ نانومتر تا حد ۱۲۰ میکروآمپر در دمای اتاق کاهش داده‌اند. استفان مانگین از دانشگاه نانسی می‌گوید: «مدلسازی‌های قبلی نتایج ما را پیش‌بینی دریچه‌های اسپینی ابزارهای اسپینترونیکی هستند که هم از اسپین الکترون و هم از انتقال اسپین زمانی صورت می‌گیرد که ممان زاویه‌ای حامل بار (معمولاً الکترون) در مهم‌ترین این اثرات، جریانی با اسپین قطبیده که از یک آهن‌ربای نانومقیاس مانگین می‌گوید این کار محققان را ترغیب خواهد کرد به دنبال مواد جدیدی با اثر نتایج این کار در Applied Physics Letters منتشر شده است. |
