شرکتهای ساندیسک و توشیبا اعلام کردند که با همکاری همدیگر توانستهاند با استفاده از فناوری فرایند ۳۲ نانومتری، موفق به توسعهی حافظهی فلش نَند (NAND) سلول چند سطحی (MLC) شده، تراشهای با حافظهی سه بیت در هر سلولِ (X3ا) ۳۲ گیگابیتی را تولید کنند. پیشبینی میشود توسعهی این فناوری پیشرفته و متحولکننده، همچنین ورود آن به بازار منجر به افزایش ظرفیتها و کاهش هزینههای ساخت برای گسترهی وسیعی از محصولات (از کارتهای حافظه گرفته تا درایوهای حالت جامد (SSD) شود.
توشیبا فناوری فلش ۳۲ نانومتری را توسعه میدهد
شرکتهای ساندیسک و توشیبا اعلام کردند که با همکاری همدیگر توانستهاند با |
|
سانجی مِهروترا (سرمایهگذار و رئیس شرکت ساندیسک) گفت: «توسعهی نسل سوم |