پژوهشگران روش جدیدی توسعه داده‌اند که با آن می‌توان ابزارهای مهم را با مقیاس اتمی و با فناوری مناسب ساخت. جرمی لوی و همکارانش در دانشگاه پیترزبورگ، با استفاده از قطعات کوچکی با ابعاد ۲ نانومتر، یک ترانزیستور ساخته‌اند. این ابعاد بطور قابل ملاحظه‌ای از پیشرفته‌ترین ترانزیستور سیلیکونی که تا به حال ساخته شده و اندازه‌ی آن ۴۵ نانومتر است، کوچکتر هستند. علاوه بر آن، می‌توان اطلاعات آن را پاک کرد، یا به طور دلخواه تصحیح و تغییر داد. این موضوع برای کاربردهای نانوالکترونیک حائز اهمیت است.
ساخت آسان دستگاه‌های نانوالکترونیک
پژوهشگران روش جدیدی توسعه داده‌اند که با آن می‌توان
ابزارهای مهم را با مقیاس اتمی و با فناوری مناسب ساخت. جرمی لوی و
همکارانش در دانشگاه پیترزبورگ، با استفاده از قطعات کوچکی با ابعاد ۲
نانومتر، یک ترانزیستور ساخته‌اند. این ابعاد بطور قابل ملاحظه‌ای از
پیشرفته‌ترین ترانزیستور سیلیکونی که تا به حال ساخته شده و اندازه‌ی آن ۴۵
نانومتر است، کوچکتر هستند. علاوه بر آن، می‌توان اطلاعات آن را پاک کرد،
یا به طور دلخواه تصحیح و تغییر داد. این موضوع برای کاربردهای
نانوالکترونیک حائز اهمیت است.
وی می‌گوید: امروزه بیشتر ترانزیستورها از سیلیکون و به
روش لیتوگرافی ساخته می‌شوند ولی ساخت آنها در ابعاد کوچکتر از ۲۰ نانومتر
مشکل است. در مقابل، روش جدید امکان تولید اجزایی با اندازه ۲ نانومتر را
فراهم می‌نماید؛ یعنی ابعاد آنها ۱۰ مرتبه و سطح آنها نیز تا ۱۰۰ مرتبه
کوچکتر از ریزترین ابزارهای سیلیکونی است.
به گفته لوی این روش از یک پروب میکروسکوپ نیروی اتمی برای ترسیم خطوط
رسانا یا سیم‌هایی با قطر تنها چند نانومتر در حد واسط دو بلور تیتانات
استرونتیوم و آلومینات لانتانیوم که هر دو نارسانا هستند، استفاده
می‌نماید. سپس می‌توان این سیم‌ها را با اعمال ولتاژ معکوس یا توسط نور پاک
نموده و دوباره ساختار را نارسانا نمود. این خاصیت طبیعت بازگشت‌پذیر این
فرآیند است که امکان استفاده از آن را در کاربردهای مانند افزاره‌های حافظه
فراهم می‌نماید.
هم‌اکنون، گروه دانشگاه پیترزبورگ، فناوری خود را یک پله ارتقاء داده و
تونل‌های ارتباطی و ترانزیستورهای اثر میدانی ریز را به همان خوبی
نانوسیم‌های رسانایِ روی زیرلایه عایق، ساخته‌اند. بسیاری از این ابزارها
را می‌توان به علت ابعاد کوچک‌شان که تنها ۲ نانومتر است در یک مساحت کوچک
فشرده کرد.
این محققان نتایج خود را در مجله Science منتشر کرده‌اند.
