اخیراً دانشمندان با استفاده از یک روش جدید رشددهی، موفق به ساخت نانومیلههای باریکی شدهاند که به عقیدهی آنها میتواند کاربردهای جدیدی را در فناوری پیشرفتهی تراشههای سهبعدی مجتمع داشته باشد.
اتصال ویفرها با استفاده از فناورینانو
در فرایندهای موجود برای رشد نانومیلهها، از جریان پیوستهای از اتمهای مس با زاویهی مایل و در محیط خلأ استفاده میشود. از این رو با توجه به سایهای که روی نانومیلههای مجاور میافتد، امکان رشد نانومیلههای کوتاهتر وجود ندارد و نانومیلههای ایجادشده نیز معمولاً ضخیم و بلند بوده، قطر آنها به حدود ۱۰۰ نانومتر میرسد.
اخیراً دانشمندان با استفاده از یک روش جدید رشددهی، موفق به ساخت نانومیلههای باریکی شدهاند که به عقیدهی آنها میتواند کاربردهای جدیدی را در فناوری پیشرفتهی تراشههای سهبعدی مجتمع داشته باشد. آنها نانومیلههای در حال رشد را هنگام انجام فرایند رسوبدهی بخار، متناوباً در معرض اکسیژن قرار میدهند و این اکسیژن با راه یافتن به داخل میله و اکسیده کردن آن، مانع از خروج اتمهای مس از قسمت انتهایی نوک نانومیلهها میشود. به این ترتیب بدون افزایش قطر و یا اثر سایه، میتوان میلههایی بلند و متراکمی را ساخت.
با استفاده از این روش، محققان توانستند نانومیلههایی با قطر متوسط ۱۰ نانومتر بسازند و با آنیلینگ کردن آنها در دمای ۳۰۰ درجهی سیلسیوس یک فیلم نازک یکنواخت به دست آورند. از این فیلمها با توجه به ویژگی دمای پایین رسوبدهی آنها، میتوان بهعنوان لایهی متصلکنندهی ویفرهای مختلف استفاده نمود. به عقیدهی محققان این نانومیلههای باریک و متراکم در آینده کاربردهای بسیار وسیعی را در صنعت نیمهرسانا و تراشه خواهند یافت. نتایج این تحقیق در نشریهی Nanotechnology ارائه شدهاست.