محققان دانشگاه استنفورد با ارائه روش جدیدی برای ساخت و خالص‌سازی لایه‌های بلوری، توانستند به ساخت ریزتراشه‌های سه‌بعدی کمک کنند. در این روش با نشست ژرمانیوم چندبلوری بر روی سیلیکون تک‌بلوری و حرارت دادن آن، لایه‌های ژرمانیوم تک‌بلوری با جهت‌گیری خاصی ساخته می‌شود.
ساخت ریزتراشه‌های سه‌بعدی با استفاده از نانوسیم‌های تک‌بلوری
محققان دانشگاه استنفورد با ارائه روش جدیدی برای ساخت و خالص‌سازی لایه‌های بلوری، توانستند به ساخت ریزتراشه‌های سه‌بعدی کمک کنند. در این روش با نشست ژرمانیوم چندبلوری بر روی سیلیکون تک‌بلوری و حرارت دادن آن، لایه‌های ژرمانیوم تک‌بلوری با جهت‌گیری خاصی ساخته می‌شود.
یکی از ملزومات ساخت ریزتراشه‌ها، داشتن بلورهایی با چیدمان اتمی کامل است. محققان همیشه به دنبال راهی برای استفاده‌ی همزمان از چند لایه‌های بلوری در یک تراشه بوده‌اند تا بتوانند ICهای سه‌بعدی بسازند. این ICها نسبت به ICهای معمولی دارای تعداد زیادتری هادی در واحد سطح است و در نتیجه سرعت انتقال جریان بیشتری هم دارند.
چالش موجود در اینجا، ساخت بلورهایی با مقیاس بسیار کوچک است؛ به‌طوری که بتواند روی ریزتراشه قرار گیرد. برای ساخت این بلورها، محققان دانشگاه استنفورد یک لایه از فلز مورد ژرمانیوم ـ که دارای ساختار چندبلوری است ـ روی بستر سیلیکون نشست دادند. در واقع لایه‌ی زیرین (سیلیکون) به‌صورت تک‌بلور بوده و نانوسیم ژرمانیوم به‌صورت چندبلوری روی آن نشست داده می‌شود. با گرم کردن بستر سیلیکونی، پدیده‌ی نوبلوری در نانوسیم ژرمانیوم اتفاق می‌افتد و ژرمانیوم به‌صورت تک‌بلوری رشد می‌کند. در این حالت بلور ژرمانیوم دارای نوعی جهت‌گیری همانند بستر سیلیکونی خواهد شد. در واقع چند بلورهای ژرمانیوم با جهت‌گیری‌های مختلف تبدیل به تک‌بلوری با جهت‌گیری مشخص می‌گردند. با این روش می‌توان تعداد نامحدودی تک‌بلور را روی هم قرار داده، مدارهایی را با دانسیته‌ی بالا ایجاد کرد.
